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1. (WO2007018157) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET NIVEAU DE SUBSTRAT UTILISÉ ICI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2007/018157 N° de la demande internationale : PCT/JP2006/315525
Date de publication : 15.02.2007 Date de dépôt international : 04.08.2006
CIB :
H01L 21/683 (2006.01) ,C23C 16/46 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : MURAKAMI, Seishi[JP/JP]; JP (UsOnly)
OGOSE, Kei[JP/JP]; JP (UsOnly)
TOKYO ELECTRON LIMITED[JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : MURAKAMI, Seishi; JP
OGOSE, Kei; JP
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1000005, JP
Données relatives à la priorité :
2005-22746505.08.2005JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE STAGE USED THEREIN
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET NIVEAU DE SUBSTRAT UTILISÉ ICI
(JA) 基板処理装置およびそれに用いる基板載置台
Abrégé : front page image
(EN) A susceptor which can make the temperature of a mounted wafer uniform even when it is precoated, and a substrate processing apparatus equipped with such a susceptor. An annular recess (12a) is formed in the intermediate portion between the central portion and the fringe portion of a wafer supporting surface of a susceptor (12). Since a recess is provided, substrate heating effect due to heat radiation from the susceptor can be suppressed. Geometrical dimensions of the recess are determined while taking account of the pressure in the chamber.
(FR) La présente invention concerne un suscepteur qui peut rendre uniforme la température d’une plaquette montée même si elle est prérevêtue, et un appareil de traitement de substrat équipé de ce suscepteur. Un renfoncement annulaire (12a) est formé dans la partie intermédiaire entre la partie centrale et la partie périphérique d’une surface supportant une plaquette d’un suscepteur (12). Étant donné qu’un renfoncement est prévu, l’effet de chauffage du substrat dû au rayonnement thermique provenant du suscepteur peut être éliminé. Les dimensions géométriques du renfoncement sont déterminées tout en tenant compte de la pression dans la chambre.
(JA) not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)