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1. (WO2007018084) PROCÉDÉ DE PROTECTION CONTRE L’ÉCRITURE DE DISPOSITIF DE STOCKAGE SEMI-CONDUCTEUR À ACCÈS SÉQUENTIEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/018084    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/315259
Date de publication : 15.02.2007 Date de dépôt international : 26.07.2006
CIB :
G11C 16/02 (2006.01), B41J 2/175 (2006.01), G06F 3/12 (2006.01), G06F 12/14 (2006.01)
Déposants : SEIKO EPSON CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Nishi-shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630811 (JP) (Tous Sauf US).
ASAUCHI, Noboru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ASAUCHI, Noboru; (JP)
Mandataire : TOKKYO GYOMUHOJIN MEISEI INTERNATIONAL PATENT FIRM; Mitsui-Sumitomo Bank Bldg. 7th floor 18-19, Nishiki 2-chome Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-231503 10.08.2005 JP
Titre (EN) WRITE PROTECTION METHOD OF SEQUENTIAL ACCESS SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PROTECTION CONTRE L’ÉCRITURE DE DISPOSITIF DE STOCKAGE SEMI-CONDUCTEUR À ACCÈS SÉQUENTIEL
(JA) シーケンシャルアクセス型半導体記憶装置の書き込み保護方法
Abrégé : front page image
(EN)In a semiconductor storage device (10), when the front address of a write inhibition area is exceeded, a passage flag is turned on. When the semiconductor storage device (10) receives a request of data write to a write restriction area (WRA), it is determined whether the passage flag has been turned on. If the passage flag has not been turned on, the data write to the write restriction area is executed. Otherwise, the data write to the write restriction area is not executed.
(FR)Dans un dispositif de stockage semi-conducteur (10), lorsque l’adresse avant d’une zone d’inhibition d’écriture est dépassée, un drapeau de passage est activé. Lorsque le dispositif de stockage semi-conducteur (10) reçoit une requête d’écriture de données dans une zone de restriction d’écriture (WRA), on détermine si le drapeau de passage est activé ou non. Si le drapeau de passage n’est pas activé, l’écriture de données dans la zone de restriction d’écriture est exécutée. Sinon, l’écriture de données dans la zone de restriction d’écriture n’est pas exécutée.
(JA) 半導体記憶装置10は、書き込み禁止領域の先頭アドレスを通過すると通過フラグをオンする。半導体記憶装置10は、書き込み制限領域WRAに対するデータの書き込み要求を受けると、通過フラグがオンされているか否かを判定し、通過フラグがオンされていない場合には、書き込み制限領域に対するデータの書き込みを実行する。一方、半導体記憶装置10は、通過フラグがオンされている場合には、書き込み制限領域に対するデータの書き込みを実行しない。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)