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1. (WO2007018076) ÉLÉMENT DE SILICIUM CRISTALLIN ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/018076    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/315222
Date de publication : 15.02.2007 Date de dépôt international : 01.08.2006
CIB :
H01L 33/18 (2010.01), H01L 33/34 (2010.01)
Déposants : HITACHI MAXELL, LTD. [JP/JP]; 1-88, Ushitora 1-chome, Ibaraki-shi, Osaka 5678567 (JP) (Tous Sauf US).
HONMA, Hideo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HONMA, Hideo; (JP)
Mandataire : FURUBE, Jiro; SERIO PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS 4F Yamaguchi kensetsu No.2 Building 4-11, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-228096 05.08.2005 JP
2005-228242 05.08.2005 JP
2006-139004 18.05.2006 JP
Titre (EN) CRYSTAL SILICON ELEMENT AND METHOD FOR FABRICATING SAME
(FR) ÉLÉMENT DE SILICIUM CRISTALLIN ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 結晶シリコン素子、およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A crystal silicon element from which desired visible light can be derived with high efficiency by enhancing the crystallinity of nano-Si remarkably. A thick silicon oxide film (17a) and a thin silicon oxide film (17b) are provided on one surface side of a p-type silicon substrate (10), and a plurality of nano-Si (15) having a crystal axis identical to that of the silicon substrate (10) are formed on the thin silicon oxide film (17b). Furthermore, a thin silicon oxide film (16) is so provided as to cover the upper surface and the side face of the nano-Si (15), and a transparent electrode (e.g. ITO) (19) is so provided as to cover the upper surface of the nano-Si (15). Furthermore, a metal electrode (e.g. aluminium) (18) is so formed as to come into an ohmic contact with the other surface of the silicon substrate (10).
(FR)La présente invention concerne un élément de silicium cristallin à partir duquel on peut dériver la lumière visible souhaitée avec une grande efficacité en améliorant sensiblement la cristallinité du nano-Si. Un film d’oxyde de silicium épais (17a) et un film d’oxyde de silicium mince (17b) sont disposés sur l’une des surfaces d’un substrat de silicium de type p (10), et une pluralité de nano-Si (15) présentant un axe cristallin identique à celui du substrat de silicium (10) sont formés sur le film d’oxyde de silicium mince (17b). En outre, un film d’oxyde de silicium mince (16) est disposé de manière à couvrir la surface supérieure et la face latérale du nano-Si (15), et une électrode transparente (par exemple ITO) (19) est disposée de manière à couvrir la surface supérieure du nano-Si (15). De plus, une électrode métallique (en aluminium par exemple) (18) est formée de manière à venir en contact ohmique avec l’autre surface du substrat en silicium (10).
(JA) ナノSiの結晶性を格段に向上させることにより、例えば所望の可視光を高効率で引き出せる結晶シリコン素子等を提供する。p型のシリコン基板10と、このシリコン基板10の一表面側に厚いシリコン酸化膜17aと、薄いシリコン酸化膜17bとを設け、この薄いシリコン酸化膜17bの上に、シリコン基板10と同一の結晶軸を持つ複数のナノSi15を形成した。また、このナノSi15の上面および側面を覆うように設けられた薄いシリコン酸化膜16と、ナノSi15の上面を覆うように設けられた透明電極(例えばITO)19を設けた。更には、シリコン基板10の他表面とオーミック接続されるように金属電極(例えばアルミニウム)18を形成した。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)