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1. (WO2007018003) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM MÉTALLIQUE ET SUPPORT D’ENREGISTREMENT AVEC STOCKAGE DE PROGRAMME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2007/018003 N° de la demande internationale : PCT/JP2006/313460
Date de publication : 15.02.2007 Date de dépôt international : 06.07.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 06.06.2007
CIB :
C23C 16/44 (2006.01) ,C23C 16/08 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
06
caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
08
à partir d'halogénures métalliques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285
à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
Déposants : TACHIBANA, Mitsuhiro[JP/JP]; JP (UsOnly)
SUGIURA, Masahito[JP/JP]; JP (UsOnly)
NISHIMORI, Takashi[JP/JP]; JP (UsOnly)
SATOH, Kohichi[JP/JP]; JP (UsOnly)
TOKYO ELECTRON LIMITED[JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : TACHIBANA, Mitsuhiro; JP
SUGIURA, Masahito; JP
NISHIMORI, Takashi; JP
SATOH, Kohichi; JP
Mandataire : OHYAMA, Hiroaki; Reo Akasaka Bldg. 5A, 2-14, Akasaka 6-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
Données relatives à la priorité :
2005-23381911.08.2005JP
Titre (EN) METHOD OF FORMING METALLIC FILM AND PROGRAM-STORING RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM MÉTALLIQUE ET SUPPORT D’ENREGISTREMENT AVEC STOCKAGE DE PROGRAMME
(JA) 金属系膜形成方法及びプログラムを記録した記録媒体
Abrégé :
(EN) It is intended to form a metallic film with resistance lower than in the prior art through controlling of crystal structure. The method may comprise the first tungsten film forming step and the second tungsten film forming step. In the first tungsten film forming step, the step of feeding, for example, WF6 gas as a metallic raw material gas and the step of feeding, for example,SiH4 gas as a hydrogen compound gas are alternately repeatedly carried out with the purging step of feeding an inert gas, for example, Ar gas or N2 gas interposed between the above steps to thereby form the first tungsten film containing amorphous matter. In the second tungsten film forming step, the WF6 gas and a reducing gas, for example, H2 gas are simultaneously fed over the first tungsten film so as to form the second tungsten film. The ratio of amorphous matter contained in the first tungsten film is controlled by varying the execution time of the purging step ensuing the step of feeding SiH4 gas.
(FR) L’invention entend proposer la formation d’un film métallique avec une résistance inférieure à celle de l’art antérieur en contrôlant la structure cristalline. Le procédé peut comprendre la première phase de formation de film de tungstène et la seconde phase de formation de film de tungstène. Dans la première phase de formation de film de tungstène, la phase d’alimentation, par exemple, de gaz WF6 comme gaz de matière première métallique et la phase d’alimentation, par exemple, de gaz SiH4 comme gaz composé d’hydrogène sont répétées de manière alternée et réalisées avec la phase de purge consistant à injecter un gaz inerte, par exemple, de gaz Ar ou de gaz N2 interposé entre les phases ci-dessus pour ainsi constituer le premier film de tungstène contenant une matière amorphe. Dans la seconde phase de formation de film de tungstène, le gaz WF6 et un gaz réducteur, par exemple, du gaz H2 sont injectés de manière simultanée au-dessus du premier film de tungstène pour constituer le second film de tungstène. Le rapport de matière amorphe contenu dans le premier film de tungstène est contrôlé en jouant sur la durée d’exécution de la phase de purge garantissant la phase d’injection de gaz SiH4.
(JA)  結晶構造をコントロールすることによって,従来以上に低い抵抗を有する金属系膜を形成する。  金属系原料ガスとして例えばWFガスを供給するステップと水素化合物ガスとして例えばSiHガスを供給するステップとを,不活性ガス例えばArガス,Nガスを供給するパージステップを介在させて,交互に繰り返し実行することによって,非晶質を含む第1タングステン膜を成膜する第1タングステン膜成膜ステップと,第1タングステン膜上に,上記WFガスと還元性ガスとして例えばHガスを同時に供給することによって,第2タングステン膜を成膜する第2タングステン膜成膜ステップとを含む。SiHガスを供給するステップ後のパージステップの実行時間を変えることにより第1タングステン膜が含む非晶質の割合をコントロールする。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)