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1. (WO2007017672) PROCEDE D'INTEGRATION D'UN ELEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/017672    N° de la demande internationale :    PCT/GB2006/002959
Date de publication : 15.02.2007 Date de dépôt international : 07.08.2006
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/525 (2006.01)
Déposants : CAVENDISH KINETICS LTD [GB/GB]; Home Farm, Fowlmere Road, Heydon, Royston, Herts SG8 8PZ (GB) (Tous Sauf US).
WEEKS, Andrew [--/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : WEEKS, Andrew; (NL)
Mandataire : GILL JENNINGS & EVERY LLP; Broadgate House, 7 Eldon Street, London EC2M 7LH (GB)
Données relatives à la priorité :
0516148.4 05.08.2005 GB
Titre (EN) METHOD OF INTEGRATING AN ELEMENT
(FR) PROCEDE D'INTEGRATION D'UN ELEMENT
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method of integrating a structure, e.g. a fuse, for use in a semiconductor device, the method comprises several steps, the first step is providing a first layer of sacrificial material (1) on a substrate. The second step is providing the structure (5) on the first layer of sacrificial material, the structure having two terminal portions. The third step is providing a second layer of sacrificial material (3) over the first layer of sacrificial material and over a length of the structure between the terminal portions such that the length of the structure is surrounded by sacrificial material, said length defining a usable portion of the structure. The fourth step is providing a layer of dielectric material such that the first and second layers of sacrificial material and the structure are encased by the layer of dielectric material and the substrate. The fifth step is forming a passage through the dielectric material to provide access to the sacrificial material. The final step is injecting a fluid through the passage to remove the sacrificial material surrounding the usable portion of the structure, thereby defining a cavity in which the usable portion is suspended.
(FR)La présente invention concerne un procédé d'intégration d'une structure telle qu'un fusible destiné à un dispositif à semi-conducteurs. Ce procédé comporte plusieurs opérations dont la première consiste à mettre une première couche de matière sacrificielle N°1 sur un substrat. La deuxième opération consiste à mettre la structure (5) sur la première couche de matière sacrificielle, cette structure comportant deux parties terminales. La troisième opération consiste à mettre une deuxième couche de matière sacrificielle N°3 sur la première couche de matière sacrificielle, sur une longueur de la structure entre les parties terminales de façon que la longueur de la structure soit entourée de matière sacrificielle, ladite longueur définissant une partie utilisable de la structure. La quatrième opération consiste à mettre une couche de matière diélectrique de façon que la première et la deuxième des couches de matière sacrificielle et la structure s'emboîtent dans la couche de matière diélectrique et le substrat. La cinquième opération consiste à former un passage au travers de la matière diélectrique pour créer un accès à la matière sacrificielle. Enfin, l'opération finale consiste à injecter un fluide par le passage de façon à éliminer la matière sacrificielle entourant la partie utilisable de la structure, définissant de cette façon une cavité dans laquelle la partie utilisable est suspendue.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)