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1. (WO2007016701) APPAREIL DE DEPOT DESTINE AU TRAITEMENT DE SEMICONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/016701    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/030547
Date de publication : 08.02.2007 Date de dépôt international : 31.07.2006
CIB :
C23C 16/00 (2006.01)
Déposants : AVIZA TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 440 Kings Village Road, Scotts Valley, California 95066-4081 (US) (Tous Sauf US).
BERCAW, Craig [US/US]; (US) (US Seulement).
COSSENTINE, Dan [US/US]; (US) (US Seulement).
BAILEY, Robert Jeffrey [US/US]; (US) (US Seulement).
YAO, Jack Chihchieh [US/US]; (US) (US Seulement).
LO, Tommy [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BERCAW, Craig; (US).
COSSENTINE, Dan; (US).
BAILEY, Robert Jeffrey; (US).
YAO, Jack Chihchieh; (US).
LO, Tommy; (US)
Mandataire : SWIATEK, Maria, S.; Morgan, Lewis & Bockius LLP, 2 Palo Alto Square, 3000 El Camino Real, Palo Alto, CA 94306 (US)
Données relatives à la priorité :
60/703,723 29.07.2005 US
60/703,717 29.07.2005 US
60/703,711 29.07.2005 US
Titre (EN) DEPOSITION APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING
(FR) APPAREIL DE DEPOT DESTINE AU TRAITEMENT DE SEMICONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates generally to a deposition apparatus for semiconductor processing. More specifically, embodiments of the present invention relate to a deposition apparatus having a reduced reaction zone volume. In some embodiments a deposition apparatus is provided with a process chamber having a raised reaction zone. Other embodiments of the present invention provide a deposition apparatus with a process chamber having a vertical baffle ring. Embodiments of the present invention provide a reduced reaction zone or volume which promotes uniform gas flow pattern and faster gas exchange.
(FR)La présente invention concerne généralement un appareil de dépôt destiné au traitement de semiconducteurs. Plus particulièrement, des modes de réalisation de l'invention se rapportent à un appareil de dépôt présentant un volume de la zone de réaction réduit. Dans certains modes de réalisation, un appareil de dépôt comprend une chambre de traitement présentant une zone de réaction surélevée. D'autres modes de réalisation de l'invention mettent en oeuvre un appareil de dépôt muni d'une chambre de traitement présentant un anneau de déflexion vertical. Des modes de réalisation de l'invention mettent en oeuvre une zone de réaction ou un volume réduit(e) qui favorise un schéma d'écoulement du gaz uniforme et un échange gazeux plus rapide.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)