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1. (WO2007016167) PROGRAMMATION D'UNE MEMOIRE REMANENTE AVEC UNE BOUCLE DE PROGRAMME MAXIMALE A REGLAGE AUTOMATIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/016167    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/029047
Date de publication : 08.02.2007 Date de dépôt international : 26.07.2006
CIB :
G11C 11/56 (2006.01), G11C 16/10 (2006.01), G11C 16/34 (2006.01)
Déposants : SANDISK CORPORATION [US/US]; 601 Mccarthy Boulevard, Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
WAN, Jun [CN/US]; (US) (US Seulement).
LUTZE, Jeffrey, W. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WAN, Jun; (US).
LUTZE, Jeffrey, W.; (US)
Mandataire : MAGEN, Burt; VIERRA MAGEN MARCUS & DENIRO, LLP, 575 Market Street, Suite 2500, San Francisco, CA 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
11/194,439 01.08.2005 US
11/194,827 01.08.2005 US
Titre (EN) PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY WITH SELF-ADJUSTING MAXIMUM PROGRAM LOOP
(FR) PROGRAMMATION D'UNE MEMOIRE REMANENTE AVEC UNE BOUCLE DE PROGRAMME MAXIMALE A REGLAGE AUTOMATIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The maximum allowable number of voltage programming pulses to program memory elements of a non-volatile memory device is adjusted to account for changes in the memory elements which occur over time. Programming pulses are applied until the threshold voltage of one or more memory elements reaches a certain verify level, after which a defined maximum number of additional pulses may be applied to other memory elements to allow them to also reach associated target threshold voltage levels. The technique enforces a maximum allowable number of programming pulses that can change over time as the memory is cycled.
(FR)Selon l'invention, le nombre maximal admissible d'impulsions de programmation de tension pour programmer des éléments de mémoire d'un dispositif de mémoire rémanente est ajusté afin de tenir compte des changements qui surviennent au niveau des éléments de mémoire au fil du temps. Les impulsions de programmation sont appliquées jusqu'à ce que la tension seuil d'au moins un élément de mémoire atteigne un certain niveau de vérification, après quoi, un nombre maximal défini d'impulsions supplémentaires peut être appliqué à d'autres éléments de mémoire afin de leur permettre d'atteindre également des niveaux de tension seuil cible associés. La technique consiste à appliquer un nombre maximal admissible d'impulsions de programmation qui peut changer au fil du temps à mesure que la mémoire est soumise à un cycle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)