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1. (WO2007016045) STRUCTURE DE TRANSISTOR DISTRIBUEE POUR DIVISEUR DE PUISSANCE DE TELEDISTRIBUTION ACTIF A LINEARITE ELEVEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2007/016045 N° de la demande internationale : PCT/US2006/028716
Date de publication : 08.02.2007 Date de dépôt international : 24.07.2006
CIB :
H03F 1/32 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
1
Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
32
Modifications des amplificateurs pour réduire la distorsion non linéaire
Déposants : ZHANG, Shuyun[US/US]; US (UsOnly)
ZHAO, Yibing[CN/US]; US (UsOnly)
ANALOG DEVICES, INC.[US/US]; One Technology Way P.O. Box 9106 Norwood, MA 02062-9106, US (AllExceptUS)
Inventeurs : ZHANG, Shuyun; US
ZHAO, Yibing; US
Mandataire : CONNORS, Matthew, E. ; Gauthier & Connors LLP 225 Franklin Street, Suite 2300 Boston, MA 02110, US
Données relatives à la priorité :
60/702,95727.07.2005US
Titre (EN) DISTRIBUTED TRANSISTOR STRUCTURE FOR HIGH LINEARITY ACTIVE CATV POWER SPLITTER
(FR) STRUCTURE DE TRANSISTOR DISTRIBUEE POUR DIVISEUR DE PUISSANCE DE TELEDISTRIBUTION ACTIF A LINEARITE ELEVEE
Abrégé :
(EN) A transistor cell includes a first stage comprising a first transistor that is coupled to a RC filter arrangement. A second stage has a second transistor that is coupled to the first stage. The linearity of the transistor cell is improved by shifting the DC bias point so that the first stage is biased at a high quiescent current while the second stage is biased at a low quiescent current.
(FR) L'invention concerne une cellule de transistor qui comprend un premier étage comprenant une premier transistor couplé à un système de filtre RC. Un second étage comprend un second transistor couplé au premier étage. Pour améliorer la linéarité de la cellule de transistor, le point de polarisation en continu est modifié de façon que le premier étage soit polarisé à un courant de repos élevé tandis que le second étage est polarisé à un courant de repos bas.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)