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1. (WO2007015957) TRIGRILLE VIRTUELLE EN CONTACT AVEC LE CORPS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2007/015957 N° de la demande internationale : PCT/US2006/028312
Date de publication : 08.02.2007 Date de dépôt international : 21.07.2006
CIB :
H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 21/84 (2006.01)
Déposants : ANDERSON, Brent, A.[US/US]; US (UsOnly)
BREITWISCH, Matthew, J.[US/US]; US (UsOnly)
NOWAK, Edward, J.[US/US]; US (UsOnly)
RAINEY, BethAnn[US/US]; US (UsOnly)
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION[US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504, US (AllExceptUS)
Inventeurs : ANDERSON, Brent, A.; US
BREITWISCH, Matthew, J.; US
NOWAK, Edward, J.; US
RAINEY, BethAnn; US
Mandataire : SABO, William, D.; INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION INTELLECTUAL PROPERTY LAW--ZIP 972E 1000 River Street Essex Junction, Vermont 05452, US
Données relatives à la priorité :
11/161,21327.07.2005US
Titre (EN) VIRTUAL BODY-CONTACTED TRIGATE
(FR) TRIGRILLE VIRTUELLE EN CONTACT AVEC LE CORPS
Abrégé : front page image
(EN) A field effect transistor (FET) and method of forming the FET comprises a substrate (101 ); a silicon germanium (SiGe) layer (103) over the substrate (103); a semiconductor layer (105) over and adjacent to the SiGe layer (103); an insulating layer (109a) adjacent to the substrate (101), the SiGe layer (103), and the semiconductor layer (105); a pair of first gate structures (111) adjacent to the insulating layer (1 09a); and a second gate structure (113) over the insulating layer (109a). Preferably, the insulating layer (109a) is adjacent to a side surface of the SiGe layer (103) and an upper surface of the semiconductor layer (105), a lower surface of the semiconductor layer (105), and a side surface of the semiconductor layer (105). Preferably, the SiGe layer (103) comprises carbon. Preferably, the pair of first gate structures (111) are substantially transverse to the second gate structure (113). Additionally, the pair of first gate structures (111) are preferably encapsulated by the insulating layer (109a).
(FR) L'invention porte sur un transistor à effet de champ (FET) et son procédé de fabrication. Ledit FET comporte: un substrat (101 ); une couche de silicium germanium (SiGe) (103) disposée sur le substrat (103); une couche de semi-conducteur (105) disposée sur la couche de (SiGe) (103) et la jouxtant; une couche isolante (109a) jouxtant le substrat (101), la couche de SiGe (103), et la couche de semi-conducteur (105); une paire de premières structures de grille (111) jouxtant la couche isolante (109a); et une deuxième structure de grille (113) disposée sur la couche isolante (109a). La couche isolante (109a) jouxte de préférence: une surface latérale de la couche de SiGe (103), une surface supérieure de la couche de semi-conducteur (105), une surface inférieure de la couche de semi-conducteur (105), et une surface latérale de la couche de semi-conducteur (105). La couche de SiGe (103) comporte de préférence du carbone. La paire de premières structures de grille (111) sont sensiblement perpendiculaires à la deuxième structure de grille (113). En outre, paire de premières structures de grille (111) sont de préférence enchâssées dans la couche isolante (109a).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)