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1. (WO2007015420) DISPOSITIF D’IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/015420    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/314884
Date de publication : 08.02.2007 Date de dépôt international : 27.07.2006
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H04N 5/335 (2011.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
NAGASAKI, Hiroki; (US Seulement).
TANAKA, Shouzi; (US Seulement)
Inventeurs : NAGASAKI, Hiroki; .
TANAKA, Shouzi;
Mandataire : OGASAWARA, Shiro; Daido-Seimei Esaka Bldg., 13th Floor 1-23-101, Esakacho, Suita-shi Osaka 5640063 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-225510 03.08.2005 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D’IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像装置
Abrégé : front page image
(EN)A solid-state imaging device the pixels of which are miniaturized which has a high light-gathering power and excellent image characteristics. A high-concentration p-well layer (5) is partly formed within a semiconductor substrate (1), centering on a region under an STI (6). Photoelectric converting sections (9a, 9b) are so formed as to extend to the regions under gate electrodes (10a, 10b). Salicide regions (12a, 12b) cover only part of the surfaces of the gate electrodes (10a, 10b) and arranged at positions biased to the drain region (13). The incident light passes through part of the surfaces of the gage electrodes (10a, 10b) where the salicide regions (12a, 12b) are not formed and enters the photoelectric converting sections (9a, 9b) extending under the gate electrodes (10a, 10b).
(FR)La présente invention concerne un dispositif d’imagerie à semi-conducteur à pixels miniaturisés alliant une puissance de concentration lumineuse élevée et d’excellentes caractéristiques d’image. Une couche de puits P à concentration élevée (5) est en partie constituée d’un substrat semi-conducteur (1), avec centrage en dessous d’une zone STI (6). Des unités de conversion photoélectrique (9a, 9b) sont disposées de sorte à s’étendre aux zones en dessous de gâchettes (10a, 10b). Des zones de siliciure (12a, 12b) ne couvrent qu’une partie de la surface des gâchettes (10a, 10b) et sont agencées pour être orientées vers la zone drain (13). La lumière incidente passe à travers une partie de la surface des gâchettes (10a, 10b) où les zones de siliciure (12a, 12b) ne se trouvent pas et pénètre dans les unités de conversion photoélectrique (9a, 9b) s’étendant sous les gâchettes (10a, 10b).
(JA) 画素の微細化と高い集光率とを両立し、画像特性に優れた固体撮像装置を実現する。高濃度p-well層(5)を、STI(6)の下方の領域を中心として半導体基板(1)の内部に部分的に形成し、光電変換部(9a、9b)を、ゲート電極(10a、10b)の下方にまで拡がるように形成する。更に、サリサイド領域(12a、12b)は、ゲート電極(10a、10b)表面の一部のみを覆い、かつ、ドレイン領域(13)側に偏った位置に形成される。入射光は、ゲート電極(10a、10b)表面のうち、サリサイド領域(12a、12b)が形成されていない部分を通過して、ゲート電極(10a、10b)の下方に拡がる光電変換部(9a、9b)にも入射することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)