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1. (WO2007015388) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/015388    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/314594
Date de publication : 08.02.2007 Date de dépôt international : 24.07.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.12.2006    
CIB :
H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : PHOETON CORP. [JP/JP]; 3050, Okada, Atsugi-shi, Kanagawa 2430021 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUNO, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NIRE, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MATSUNO, Akira; (JP).
NIRE, Takashi; (JP)
Mandataire : KATAYAMA, Shuhei; Mitsui Sumitomo Marine Tepco Building, 6-1, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-226036 03.08.2005 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor device manufacturing apparatus having a step of performing heat treatment to a substrate (46) by irradiating the substrate with a first laser beam (50) and a second laser beam (52) having a wavelength different from that of the first laser beam. The semiconductor device manufacturing method and the semiconductor device manufacturing apparatus are characterized in that a temperature distribution in a depth direction of the substrate or that in the depth direction of a film on the substrate is controlled by controlling at least irradiation intensities or irradiation times of the first laser and the second laser.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production de dispositif à semi-conducteur et son appareil de production comprenant une étape de traitement thermique d’un substrat (46) par irradiation à l’aide d’un premier faisceau laser (50) et d’un second faisceau laser (52) doté d’une longueur d’onde différente de celle du premier faisceau laser. Le procédé et l’appareil de production de dispositif à semi-conducteur se caractérisent en ce que la diffusion de la température dans le sens de profondeur du substrat ou du film placé sur le substrat est contrôlée par réglage au moins des intensités ou des durées d’irradiation des premier et second lasers.
(JA)本発明は、第1のレーザ光(50)と、第1のレーザ光とは異なる波長を有する第2のレーザ光(52)とを基板(46)に照射し、基板の熱処理を行う工程を具備する半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置において、熱処理を行う工程は、第1のレーザの照射強度と第2のレーザとのそれぞれの照射強度または照射時間の少なくとも一方を制御することにより、前記基板または前記基板上の膜の深さ方向の温度分布を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法および、半導体装置の製造装置である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)