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1. (WO2007015010) POLYOXOMETALLATES DANS DES DISPOSITIFS DE MEMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/015010    N° de la demande internationale :    PCT/FR2006/001882
Date de publication : 08.02.2007 Date de dépôt international : 02.08.2006
CIB :
G11C 13/02 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 25, rue Leblanc, Immeuble "Le Ponant D", F-75015 Paris (FR) (Tous Sauf US).
BIDAN, Gérard [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
JALAGUIER, Eric [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : BIDAN, Gérard; (FR).
JALAGUIER, Eric; (FR)
Mandataire : PERIN, Georges; Cabinet Plasseraud, 52, rue de la Victoire, F-75440 Paris Cedex 09 (FR)
Données relatives à la priorité :
0508263 02.08.2005 FR
Titre (EN) POLYOXOMETALLATES IN MEMORY DEVICES
(FR) POLYOXOMETALLATES DANS DES DISPOSITIFS DE MEMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a DRAM memory device with a capacity associated with a field effect transistor, in which all or some of the molecules capable of storing the loads comprising a polyoxometallate are incorporated into the capacity, or a Flash-type memory using at least one field effect transistor, in which the molecules capable of storing the loads comprising a polyoxometallate are incorporated into the floating grid of the transistor. The invention also relates to a method for producing one such device and to an electronic appliance comprising one such memory device.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de mémoire de type DRAM comprenant une capacité associée à un transistor à effet de champ, dans lequel tout ou partie des molécules aptes à stocker les charges comprenant un polyoxométallate sont incorporées dans la capacité, ou de type Flash et utilisant au moins un transistor à effet de champ, dans lequel les molécules aptes à stocker les charges comprenant un polyoxométallate sont incorporées dans la grille flottante dudit transistor, procédé de fabrication d'un tel dispositif et appareil électronique renfermant un tel dispositif de mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)