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1. (WO2007014034) STRUCTURE PROGRAMMABLE COMPRENANT DES ELEMENTS DE STOCKAGE NANOCRISTALLINS DANS UNE TRANCHEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/014034    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/028364
Date de publication : 01.02.2007 Date de dépôt international : 21.07.2006
CIB :
H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
CHINDALORE, Gowrishankar L. [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHINDALORE, Gowrishankar L.; (US)
Mandataire : KING, Robert L.; 7700 W. Parmer Lane, MD:PL02, Austin, Texas 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
11/188,615 25.07.2005 US
Titre (EN) PROGRAMMABLE STRUCTURE INCLUDING NANOCRYSTAL STORAGE ELEMENTS IN A TRENCH
(FR) STRUCTURE PROGRAMMABLE COMPRENANT DES ELEMENTS DE STOCKAGE NANOCRISTALLINS DANS UNE TRANCHEE
Abrégé : front page image
(EN)A storage cell includes a semiconductor substrate (102) defining a trench (108), a bottom dielectric (110) lining the trench, and a charge storage layer on the bottom dielectric. The charge storage layer (121) includes a plurality of discontinuous storage elements (DSEs). A control gate and a top dielectric cover the DSEs. The storage cell includes a source/drain region underlying the trench. The DSEs may be silicon nanocrystals and the control gate may be polysilicon. The control gate may be recessed below an upper surface of the semiconductor substrate and an upper most of the DSEs may be vertically aligned with the control gate upper surface. The storage cell may include an oxide gap structure laterally aligned with the silicon nanocrystals adjacent the trench sidewall and extending vertically from the upper most of the silicon nanocrystals to the upper surface of the substrate. The DSEs include at least programmable two injection regions.
(FR)L'invention concerne une cellule de stockage qui comprend un substrat semi-conducteur (102) définissant une tranchée (108), un diélectrique inférieur (110) faisant office de revêtement appliqué sur tranchée, et une couche de stockage de charge disposée sur le diélectrique inférieur. La couche de stockage de charge (121) comprend une pluralité d'éléments de stockage discontinus (DSE). Une porte de commande et un diélectrique supérieur recouvrent les DSE. La cellule de stockage comprend une région de source/de drain disposée sous la tranchée. Les DSE peuvent être constitués des nanocristaux de silicium et la porte de commande de polysilicium. La porte de commande peut être évidée au-dessous d'une surface supérieure du substrat semi-conducteur et les DSE d'extrémité supérieure peuvent être alignés verticalement sur la surface supérieure de la porte de commande. La cellule de stockage peut comprendre une structure d'espacement d'oxyde alignée latéralement sur les nanocristaux de silicium adjacents à la paroi latérale de la tranchée et s'étendant verticalement depuis les nanocristaux de silicium d'extrémité supérieure jusqu'à la surface supérieure du substrat. Les DSE comprennent au moins deux régions d'injection programmables.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)