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1. (WO2007013605) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/013605    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/315014
Date de publication : 01.02.2007 Date de dépôt international : 28.07.2006
CIB :
H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
TAKATSUKI, Koichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKATSUKI, Koichi; (JP)
Mandataire : TAKAYAMA, Hiroshi; 7th Floor, Daiichi Shinwa Building 10-8, Akasaka 2-chome Minato-ku, Tokyo 107-0052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-218138 28.07.2005 JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法および基板処理装置
Abrégé : front page image
(EN)In a substrate processing method, a substrate to be processed is placed on a placing table in a processing chamber in a substrate processing apparatus, and while heating the substrate by a heating means through the placing table to a process temperature of 700°C or higher, processing is performed to the substrate. The substrate to be processed is carried into the processing chamber, first preheating is performed until the substrate reaches a prescribed temperature by being placed on the placing table. Then, a substrate supporting pin of the placing table is brought up, and second preheating is performed in a status where the substrate is held on the substrate supporting pin. Then, the substrate supporting pin is brought down to place the substrate on the placing table and process such as plasma oxidation process is performed.
(FR)Selon la présente invention, dans un procédé de traitement de substrat, un substrat à traiter est placé sur une table de placement dans une chambre de traitement dans un appareil de traitement de substrat, et tandis que le substrat est chauffé par un moyen de chauffage à travers la table de placement à une température de traitement de 700 °C ou supérieure, le traitement du substrat est effectué. Le substrat à traiter est transporté dans la chambre de traitement, un préchauffage est d’abord effectué jusqu’à ce que le substrat atteigne une température imposée en étant placé sur la table de placement. Puis, une goupille de support de substrat de la table de placement est amenée vers le haut, et un second préchauffage est effectué dans un état où le substrat est maintenu sur la goupille de support de substrat. Puis, la goupille de support de substrat est amenée vers le bas afin de placer le substrat sur la table de placement et un traitement tel qu’un procédé d’oxydation de plasma est effectué.
(JA) 基板処理装置の処理室内で、被処理基板を載置台に載置し、加熱手段により載置台を介して被処理基板を700°C以上のプロセス温度に加熱しつつ被処理基板に対して処理を行う基板処理方法であって、処理室に被処理基板を搬入し、載置台に載置した状態で被処理基板が所定温度に達するまで第1の予備加熱を行い、次に、載置台の基板支持ピンを上昇させて、被処理基板を該基板支持ピン上に保持した状態で第2の予備加熱を行い、その後、基板支持ピンを下降させて被処理基板を載置台に載置してプラズマ酸化処理などの処理を行う。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)