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1. (WO2007013261) CIBLE DE PULVÉRISATION, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, FILM MINCE DE PULVÉRISATION FORMÉ EN UTILISANT UNE TELLE CIBLE DE PULVÉRISATION, ET DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE UTILISANT UN TEL FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/013261    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/313214
Date de publication : 01.02.2007 Date de dépôt international : 03.07.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.02.2007    
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/04 (2006.01)
Déposants : OSAKA Titanium technologies Co., Ltd. [JP/JP]; 1, Higashihama-cho, Amagasaki-shi, Hyogo, 6608533 (JP) (Tous Sauf US).
KIDO, Jyunji [JP/JP]; (JP).
International Manufacturing & Engineering Services Co., Ltd [JP/JP]; 3, Kirihara-cho, Fujisawa-shi, Kanagawa 2520811 (JP) (Tous Sauf US).
NATSUME, Yoshitake [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OGASAWARA, Tadashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AZUMA, Kazuomi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MORI, Koichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KIDO, Jyunji; (JP).
NATSUME, Yoshitake; (JP).
OGASAWARA, Tadashi; (JP).
AZUMA, Kazuomi; (JP).
MORI, Koichi; (JP)
Mandataire : YANAGIDATE, Takahiko; Taisei Patent Agent 6-15 Kawaramachi 4-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5410048 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-216811 27.07.2005 JP
2006-103195 04.04.2006 JP
Titre (EN) SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SAME, SPUTTERING THIN FILM FORMED BY USING SUCH SPUTTERING TARGET, AND ORGANIC EL DEVICE USING SUCH THIN FILM
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, FILM MINCE DE PULVÉRISATION FORMÉ EN UTILISANT UNE TELLE CIBLE DE PULVÉRISATION, ET DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE UTILISANT UN TEL FILM MINCE
(JA) スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びにそのスパッタリングターゲットを用いて形成したスパッタリング薄膜及びその薄膜を用いた有機EL素子
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a sputtering target which enables to provide a sputtering film with high moisture barrier properties and high flexibility. This sputtering target also secures high film-forming rate while reducing damages to an object on which the film is formed during the sputtering. In order to realize such a sputtering target, a powder mixture containing, in a weight ratio, 20-80% of an SiO powder and the balance of TiO2 powder and/or a Ti powder is subjected to pressure sintering. The sintered body has a composition expressed as Si&agr;Ti&bgr;Oϝ (wherein &agr;, &bgr; and ϝ represent respective molar ratios of Si, Ti and O), and &agr;/&bgr; satisfies 0.45-7.25 while ϝ/(&agr; + &bgr;) satisfies 0.80-1.70.
(FR)La présente invention concerne une cible de pulvérisation qui permet d’obtenir un film de pulvérisation doté de propriétés de barrière contre l’humidité élevées ainsi que d’une grande souplesse. Cette cible de pulvérisation assure également une vitesse de formation de film élevée tout en réduisant les dommages causés à un objet sur lequel le film est formé lors de la pulvérisation. Afin d’obtenir une telle cible de pulvérisation, un mélange de poudres contenant, en rapport de poids, entre 20 % et 80 % d’une poudre de SiO et pour le reste une poudre de TiO2 et/ou une poudre de Ti est soumise à un frittage sous pression. Le corps fritté possède une composition exprimée sous le forme Si&agr;Ti&bgr;Oϝ (dans laquelle &agr;, &bgr; et ϝ représentent les rapports molaires respectifs de Si, Ti et O), et &agr;/&bgr; satisfait entre 0,45 et 7,25 alors que ϝ/(&agr; + &bgr;) satisfait entre 0,80 et 1,70.
(JA) スパッタリング膜に高い水分バリア性と高い柔軟性を付与でき、合わせて、スパッタリングにおいて高い成膜レートを確保できると共に、成膜対象物へのダメージを可及的に軽減できるスパッタリングターゲットを提供する。これを実現するために、重量比でSiO粉末を20~80%含み、残部がTiO粉末及び/又はTi粉末である混合粉末を加圧焼結する。焼結体はSiαTiβOγ(α、β、γはSi、Ti、Oの各モル比)なる組成を有し、α/βが0.45~7.25、γ/(α+β)が0.80~1.70を各満足する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)