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1. (WO2007013214) DISPOSITIF D’IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF D’IMAGERIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/013214    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/310495
Date de publication : 01.02.2007 Date de dépôt international : 25.05.2006
CIB :
H04N 5/225 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : OLYMPUS CORPORATION [JP/JP]; 43-2, Hatagaya 2-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1510072 (JP) (Tous Sauf US).
FUJIMORI, Noriyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUJIMORI, Noriyuki; (JP)
Mandataire : SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006019 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-214826 25.07.2005 JP
Titre (EN) IMAGING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D’IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF D’IMAGERIE
(JA) 撮像装置および撮像装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an imaging device wherein an optical system for collecting light from an object can be easily arranged on a solid-state imaging element, and unnecessary external light other than the light from the object can be surely blocked. The imaging device is provided with the solid-state imaging element (2) which receives light through the light from the object and converts the light into electricity; the optical system (3) which collects the light from the object; and a resin member (5). The solid-state imaging element (2) is provided with a semiconductor chip for receiving the light from the object through a light receiving plane and converting the light into electricity. A light transmitting member is arranged on an upper plane of the semiconductor chip, and an electrode terminal group is arranged on a lower plane of the semiconductor chip. The optical system (3) is arranged on a plane of the light transmitting member in a light receiving region facing the light receiving plane. The resin member (5) reinforces bonding strength between a circuit board (4) whereupon the solid-state imaging element (2) is arranged and the electrode terminal group of the solid-state imaging element (2), and shields regions of the light transmitting member other than the light receiving region from light.
(FR)L’invention concerne un dispositif d’imagerie dans lequel un système optique permettant de collecter la lumière à partir d’un objet peut être facilement disposé sur un élément d’imagerie à semi-conducteur, et toute lumière externe superflue autre que la lumière provenant de l’objet peut être bloqué en toute fiabilité. Le dispositif d’imagerie est pourvu de l’élément d’imagerie à semi-conducteur (2) qui reçoit la lumière traversant la lumière à partir de l’objet et convertit la lumière en électricité ; le système optique (3) qui collecte la lumière à partir de l’objet ; et un élément de résine (5). L’élément d’imagerie à semi-conducteur (2) est pourvu d’une puce semi-conductrice permettant de recevoir la lumière provenant de l’objet à travers un plan de réception de lumière et de convertir la lumière en électricité. Un élément de transmission de lumière est disposé sur un plan supérieur de la puce semi-conductrice, et un groupe de bornes d’électrode est situé sur un plan inférieur de la puce semi-conductrice. Le système optique (3) se trouve sur un plan de l’élément de transmission de lumière dans une région de réception de lumière faisant face au plan de réception de lumière. L’élément de résine (5) augmente la force d’adhérence entre une carte à circuit (4) sur laquelle se trouvent l’élément d’imagerie à semi-conducteur (2) et le groupe de bornes d’électrode de l’élément d’imagerie à semi-conducteur (2), et protège de la lumière les régions de l’élément de transmission de lumière autre que la région de réception de lumière.
(JA) 被写体からの光を集光する光学系を固体撮像素子に容易に設置でき、この被写体からの光以外の不要な外部光を確実に遮ることが可能な撮像装置を実現できることを目的とする。本発明にかかる撮像装置は、被写体からの光を介して受光し光電変換する固体撮像素子2と、前記被写体からの光を集光する光学系3と、樹脂部材5とを備える。固体撮像素子2は、前記被写体からの光を受光面を介して受光し光電変換する半導体チップを有し、この半導体チップの上面に光透過性部材が設けられ、この半導体チップの下面に電極端子群が設けられる。光学系3は、前記光透過性部材の面上であって前記受光面に相対する受光領域上に設けられる。樹脂部材5は、固体撮像素子2が設置される回路基板4と固体撮像素子2の電極端子群との接合強度を補強するとともに前記光透過性部材の受光領域以外の領域を遮光する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)