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1. (WO2007011848) CONDENSATEUR MULTICOUCHE A FAIBLE INDUCTANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/011848    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/027623
Date de publication : 25.01.2007 Date de dépôt international : 17.07.2006
CIB :
H01G 4/005 (2006.01), H01G 4/06 (2006.01)
Déposants : ROY, Apurba [US/US]; (US)
Inventeurs : ROY, Apurba; (US)
Mandataire : BOOKS, Mark, E.; Polster, Lieder, Woodruff & Lucchesi, L.C., 12412 Powerscourt Drive, St. Louis, Missouri 63131 (US)
Données relatives à la priorité :
60/700,642 19.07.2005 US
Titre (EN) LOW INDUCTANCE MULTILAYER CAPACITOR
(FR) CONDENSATEUR MULTICOUCHE A FAIBLE INDUCTANCE
Abrégé : front page image
(EN) A multilayer parallel plate capacitor with an extremely low inductance comprises a generally rectangular parallelepiped that includes at least one pair of generally rectangular consecutive composite layers (40A, 40B) stacked parallel to each other in the vertical direction, each composite layer (40A, 40B) of the pair comprising a dielectric substrate (41A, 41B) and a conductor plate (42A, 42B) thereon. Each conductor plate (42A, 42B) includes two or more lead portions (45A, 45B) to enable connection to terminal electrodes, and plates (42A, 42B) on consecutive composite layers (40A, 40B) are connected to terminal electrodes of opposite polarity. Each conductor plate (42A, 42B) advantageously includes one or more non-conductive regions comprising slots (44Y) in the transverse direction, and one or more non-conductive regions comprising slots (44X) in the longitudinal direction. These slots (44X, 44Y) provide directionality to the electrical currents (47A, 47B) through the plates (42A, 42B), resulting in a capacitor structure with greatly reduced inductance.
(FR)L'invention concerne un condensateur à plaques parallèles multicouche à inductance extrêmement basse, formé d'un parallélépipède généralement rectangulaire pourvu d'au moins une paire de couches composites consécutives (40A, 40B) généralement rectangulaires, empilées de manière parallèle les unes par rapport aux autres en direction verticale, chaque couche composite (40A, 40B) de ladite paire comprenant un substrat diélectrique (41A, 41B) et une plaque conductrice (42A, 42B). Chaque plaque conductrice (42A, 42B) comprend deux ou plusieurs fils (45A, 45B) permettant la connexion aux électrodes des bornes, et des plaques (42A, 42B) sur des couches composites consécutives (40A, 40B) sont connectées aux électrodes des bornes de polarité opposée. Chaque plaque conductrice (42A, 42B) comprend, de manière avantageuse, une ou plusieurs zones non conductrices présentant des rainures (44Y) en direction transversale, et une ou plusieurs zones non conductrices présentant des rainures (44X) dans la direction longitudinale. Ces rainures (44X, 44Y) orientent les courants électriques (47A, 47B) à travers les plaques (42A, 42B), permettant ainsi d'obtenir une structure de condensateur avec une inductance significativement réduite.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)