WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007011496) CONDENSATEURS HAUTE CAPACITE POUR STRUCTURE CMOS A GRILLE ARRIERE PLANE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/011496    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/024701
Date de publication : 25.01.2007 Date de dépôt international : 26.06.2006
CIB :
H01L 21/84 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
BRYANT, Andres [US/US]; (US) (US Seulement).
NOWAK, Edward, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
WILLIAMS, Richard, Q. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BRYANT, Andres; (US).
NOWAK, Edward, J.; (US).
WILLIAMS, Richard, Q.; (US)
Mandataire : CANALE, Anthony, J.; INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION, INTELLECTUAL PROPERTY LAW--ZIP 972E, 1000 River Street, Essex Junction, VT 05452 (US)
Données relatives à la priorité :
11/160,999 19.07.2005 US
Titre (EN) HIGH PERFORMANCE CAPACITORS IN PLANAR BACK GATES CMOS
(FR) CONDENSATEURS HAUTE CAPACITE POUR STRUCTURE CMOS A GRILLE ARRIERE PLANE
Abrégé : front page image
(EN)A method of manufacture and device for a dual-gate CMOS structure. The structure includes a first plate (106a-d) in an insulating layer (100) and a second plate (110a-d) above the insulating layer electrically corresponding to the first plate. An isolation structure (108a-d) is between the first plate and the second plate.
(FR)Procédé de fabrication et dispositif pour structure CMOS à double grille. La structure comprend une première plaque (106a-d) dans une couche isolante (100) et une seconde plaque (1 10a-d) au-dessus de la couche isolante correspondant électriquement à la première plaque. Une structure d'isolation (108a-d) est établie entre les deux plaques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)