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1. (WO2007010646) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/010646    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/305703
Date de publication : 25.01.2007 Date de dépôt international : 22.03.2006
CIB :
H01L 29/739 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 25/04 (2006.01), H01L 27/00 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : Sanken Electric Co., Ltd. [JP/JP]; 6-3, Kitano 3-chome, Niiza-shi Saitama 3528666 (JP) (Tous Sauf US).
TORII, Katsuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TORII, Katsuyuki; (JP)
Mandataire : SHIMIZU, Keiichi; Kouwa Patent Office, 3rd Floor YK Nakameguro Building, 1-5 Nakameguro 3-chome Meguro-ku, Tokyo 1530061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-207685 15.07.2005 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device is reduced in size without connecting an external diode, and the heat caused by current is prevented from being concentrated on the central part of the semiconductor substrate. First base regions (16) of sequentially stacked first and second IGBTs (1, 2) each have a peripheral region (26) neighboring the side surface (31c) of a semiconductor substrate (31). Each of the IGBTs (1, 2) includes a p-type peripheral base region (27) forming a diode (21) adjacently to the peripheral region (26) of the n-type first base region (16) and a diode electrode (24) formed on the upper surface (26a) of the peripheral region (26) of the first base region (16). The diode electrode (24) and collector electrode (23) of each of the IGBTs (1, 2) are electrically connected with each other. When the semiconductor device is on, current flows toward the central part of the semiconductor substrate (31) apart from the side surface (31c). When the semiconductor is off, if reverse current occurs, it flows in the vicinity of the side surface (31c) of the semiconductor substrate (31).
(FR)La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur présentant une taille réduite sans connecter une diode externe, la chaleur causée par le courant n'étant pas concentrée sur la partie centrale du substrat semi-conducteur. Les premières zones de base (16) d’un premier et d’un second IGBT empilés séquentiellement (1, 2) comportent chacune une zone périphérique (26) jouxtant la surface latérale (31c) d’un substrat semi-conducteur (31). Chacun des IGBT (1, 2) comporte une zone périphérique de base de type p (27) formant une diode (21) adjacente à la zone périphérique (26) de la première zone de base de type n (16) et une électrode de diode (24) formée sur la surface supérieure (26a) de la zone périphérique (26) de la première zone de base (16). L’électrode de diode (24) et l’électrode de collecteur (23) de chacun des IGBT (1, 2) sont électriquement connectées l’une à l’autre. Lorsque le dispositif semi-conducteur fonctionne, le courant circule vers la partie centrale du substrat semi-conducteur (31) séparée de la surface latérale (31c). Lorsque le semi-conducteur est arrêté, si un courant inversé survient, il circule à proximité de la surface latérale (31c) du substrat semi-conducteur (31).
(JA) 外付けダイオードを接続せずに半導体装置を小型化すると共に、電流により生じる熱が半導体基体の中央側に集中することを防止する。順次に積層された第1のIGBT(1)及び第2のIGBT(2)の第1のベース領域(16)は、各半導体基体(31)の側面(31c)に近接する周辺部(26)を有する。各IGBT(1,2)は、N型の第1のベース領域(16)の周辺部(26)に隣接してダイオード(21)を形成するP型の周辺ベース領域(27)と、第1のベース領域(16)の周辺部(26)の上面(26a)に形成されたダイオード電極(24)とを備え、各IGBT(1,2)のダイオード電極(24)とコレクタ電極(23)とを電気的に接続する。半導体装置のオン時には、側面(31c)から離間した半導体基体(31)の中央側に電流が流れるが、半導体装置のオフ時に逆方向電流が発生したとき、逆方向電流が半導体基体(31)の側面(31c)に近接して流れる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)