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1. (WO2007010425) ANALYSEUR DE FLUIDES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/010425    N° de la demande internationale :    PCT/IB2006/052282
Date de publication : 25.01.2007 Date de dépôt international : 06.07.2006
CIB :
G01N 27/414 (2006.01), G01N 33/497 (2006.01), G01N 33/00 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
WILLARD, Nicolaas [NL/FR]; (FR) (US Seulement).
SETAYESH, Sepas [IR/FR]; (FR) (US Seulement).
LEEUW, Dagobert Michel [NL/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : WILLARD, Nicolaas; (FR).
SETAYESH, Sepas; (FR).
LEEUW, Dagobert Michel; (FR)
Mandataire : LANDOUSY, Christian; Société Civile SPID, 156 Boulevard Haussmann, F-75008 Paris (FR)
Données relatives à la priorité :
05300601.1 19.07.2005 EP
Titre (EN) FLUID ANALYSER
(FR) ANALYSEUR DE FLUIDES
Abrégé : front page image
(EN)A gas analyser (12) comprises a transistor (1) that has a cavity (7) between its gate (2) and its organic semiconductor (6) based conducting channel. In operation a component from a gas sample introduced into the cavity (7) may absorb onto an exposed absorption sensitive surface portion of the organic semiconductor (6). A detector (13) detects a change in the threshold voltage of the transistor caused by the component absorbing on the exposed surface portion. In response to detecting this change, the detector generates a measurement signal indicative of a concentration of the component in the sample.
(FR)L'invention porte sur un analyseur de gaz (12) qui comprend un transistor (1) comportant une cavité (7) entre sa grille (2) et son canal de conduction à semiconducteur organique (6). En cours de fonctionnement, un composant d'un échantillon de gaz introduit dans la cavité (7) peut être absorbé sur une partie à surface sensible d'absorption exposée du semiconducteur organique (6). Un détecteur (13) détecte un changement dans la tension de seuil du transistor causée par l'absorption du composant par la partie à surface exposée. En réponse à la détection de ce changement, le détecteur produit un signal de mesure indiquant une concentration du composant dans l'échantillon.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)