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1. (WO2007010149) PROCEDE DE GRAVURE CHIMIQUE UNIFORME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/010149    N° de la demande internationale :    PCT/FR2006/050456
Date de publication : 25.01.2007 Date de dépôt international : 18.05.2006
CIB :
H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique Des Fontaines, Chemin Des Franques, F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
DELATTRE, Cécile [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : DELATTRE, Cécile; (FR)
Mandataire : JOLY, Jean-Jacques; Cabinet Beau de Loménie, 158 Rue De L'Université, F-75340 Paris Cedex 07 (FR)
Données relatives à la priorité :
05 05015 19.05.2005 FR
Titre (EN) UNIFORM CHEMICAL ETCHING METHOD
(FR) PROCEDE DE GRAVURE CHIMIQUE UNIFORME
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a method for wet process chemical etching of a plate (20) comprising at least one silicon-germanium (SiGe) surface layer (21) to be etched by dispensing an etching solution (11) deposited on the rotating plate. The invention is characterized in that it includes a first etching step whereby said etching solution (11) is dispensed from a fixed position located at a specific distance from the center of the plate, and a second etching step whereby the etching solution (11) is dispensed radially from the center of the plate and over a maximum distance less than the radius (R) of said plate.
(FR)L'invention concerne un procédé de gravure chimique par voie humide d'une plaque (20) comprenant au moins une couche superficielle en silicium-germanium (SiGe) (21) destinée à être gravée par dispense d'une solution de gravure (11) déposée sur la plaque en rotation, caractérisé en ce qu'il comprend une première étape de gravure dans laquelle ladite solution de gravure (11) est dispensée à partir d'une position fixe située à une distance déterminée du centre de la plaque, et une seconde étape de gravure dans laquelle la solution de gravure (11) est dispensée radialement à partir du centre de la plaque et sur une distance maximale inférieure au rayon (R) de ladite plaque.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)