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1. (WO2007009889) MATERIAUX AMELIORES POUR ISOLANTS DANS DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ORGANIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/009889    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/063966
Date de publication : 25.01.2007 Date de dépôt international : 06.07.2006
CIB :
H01L 51/05 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, 80333 München (DE) (Tous Sauf US).
BRABEC, Christoph [AT/AT]; (AT) (US Seulement).
WALDAUF, Christoph [AT/AT]; (AT) (US Seulement)
Inventeurs : BRABEC, Christoph; (AT).
WALDAUF, Christoph; (AT)
Représentant
commun :
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, 80506 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2005 034 415.1 22.07.2005 DE
Titre (DE) VERBESSERTE MATERIALIEN FÜR ISOLATOREN IN ORGANISCHEN FELDEFFEKTTRANSISTOREN
(EN) IMPROVED MATERIALS FOR INSULATORS IN ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTORS
(FR) MATERIAUX AMELIORES POUR ISOLANTS DANS DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ORGANIQUES
Abrégé : front page image
(DE)Die Anmeldung betrifft das Gebiet von organischen Feldeffekttransistoren. Die Erfindung bezieht sich auf einen organischen Feldeffekttransistor. Als Gate-Isolatormaterial für die Gate-Isolatorschicht des Transistors wird dabei ein Material gewählt, welches photochemisch aushärtbar und/oder strukturierbar ist. Hierdurch ist sowohl eine Gate-Isolatorschicht besserer Qualität als auch ein einfacheres Herstellungsverfahren für den Transistor erreichbar.
(EN)The invention relates to the realm of organic field effect transistors, more particularly an organic field effect transistor. A material that can be photochemically cured and/or structured is selected as a gate insulator material for the gate insulator layer. This makes it possible to obtain a gate insulator layer having an improved quality as well as create a simpler method for producing the transistor.
(FR)L'invention a trait au domaine des transistors à effet de champ organiques. L'invention concerne en particulier un transistor à effet de champ organique. Le matériau choisi pour la couche d'isolant de grille du transistor est un matériau qui peut être durci et/ou texturé photochimiquement, ce qui permet d'améliorer la qualité de la couche d'isolant de grille et de simplifier le procédé de production du transistor.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)