WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007008934) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DESTINÉS À AMÉLIORER LA LINÉARITÉ DE TRANSISTORS MOS AVEC UN PUITS DE CHARGE ACCUMULÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/008934    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/026965
Date de publication : 18.01.2007 Date de dépôt international : 11.07.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.02.2007    
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01P 1/15 (2006.01)
Déposants : PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 9450 Carroll Park Drive, San Diego, CA 92121 (US) (Tous Sauf US).
BRINDLE, Christopher, N. [US/US]; (US) (US Seulement).
STUBER, Michael, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
KELLY, Dylan, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
KEMERLING, Clint, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
IMTHURN, George, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
WELSTAND, Robert, B. [US/US]; (US) (US Seulement).
BURGENER, Mark, L. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BRINDLE, Christopher, N.; (US).
STUBER, Michael, A.; (US).
KELLY, Dylan, J.; (US).
KEMERLING, Clint, L.; (US).
IMTHURN, George, P.; (US).
WELSTAND, Robert, B.; (US).
BURGENER, Mark, L.; (US)
Mandataire : STEINFL, Alessandro; Ladas & Parry LLP, 5670 Wilshire Boulevard, Suite 2100, Los Angeles, CA 90036 (US)
Données relatives à la priorité :
60/698,523 11.07.2005 US
11/484,370 10.07.2006 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR USE IN IMPROVING LINEARITY OF MOSFETS USING AN ACCUMULATED CHARGE SINK
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DESTINÉS À AMÉLIORER LA LINÉARITÉ DE TRANSISTORS MOS AVEC UN PUITS DE CHARGE ACCUMULÉE
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for use in improving the linearity characteristics of MOSFET devices using an accumulated charge sink (ACS) are disclosed. The method and apparatus are adapted to remove, reduce, or otherwise control accumulated charge in SOI MOSFETs, thereby yielding improvements in FET performance characteristics. In one exemplary embodiment, a circuit having at least one SOI MOSFET is configured to operate in an accumulated charge regime. An accumulated charge sink, operatively coupled to the body of the SOI MOSFET, eliminates, removes or otherwise controls accumulated charge when the FET is operated in the accumulated charge regime, thereby reducing the nonlinearity of the parasitic off-state source-to-drain capacitance of the SOI MOSFET. In RF switch circuits implemented with the improved SOI MOSFET devices, harmonic and intermodulation distortion is reduced by removing or otherwise controlling the accumulated charge when the SOI MOSFET operates in an accumulated charge regime.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un dispositif destinés à améliorer les caractéristiques de linéarité de transistors MOS avec un puits de charge accumulée. Le procédé et le dispositif sont conçus pour éliminer, réduire ou sinon réguler la charge accumulée dans des transistors MOS SOI, ce qui permet d’obtenir de meilleures caractéristiques d’effet de champ. Dans un mode de réalisation donné à titre d’exemple, un circuit doté d’au moins un transistor MOS SOI est configuré pour fonctionner dans un mode de charge accumulée. Un puits de charge accumulée, couplé fonctionnellement au corps du transistor, élimine ou sinon régule la charge accumulée lors de l’application de l’effet de champ en mode de charge accumulée, ce qui réduit la non-linéarité de la capacité parasite en état bloqué dans le sens direct source à drain du transistor. Dans des circuits de commutation RF utilisant les transistors MOS perfectionnés, la distorsion harmonique et d’intermodulation est réduite par élimination ou sinon régulation de la charge accumulée lorsque le transistor fonctionne dans un mode de charge accumulée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)