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1. (WO2007008903) CELLULE MEMOIRE EQUIPEE D'UN DISPOSITIF DE COMMUTATION A TROIS BORNES ET A COUCHE MINCE PRESENTANT UNE REGION DE SOURCE ET/OU DE DRAIN METALLIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/008903    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/026898
Date de publication : 18.01.2007 Date de dépôt international : 11.07.2006
CIB :
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/112 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/07 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), G11C 16/02 (2006.01), G11C 11/34 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01), G11C 13/02 (2006.01), H01L 27/24 (2006.01)
Déposants : SANDISK 3D LLC [US/US]; 601 McCarthy Boulevard, Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
SCHEUERLEIN, Roy, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
PETTI, Christopher, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SCHEUERLEIN, Roy, E.; (US).
PETTI, Christopher, J.; (US)
Mandataire : SQUYRES, Pamela, J.; SanDisk 3D, LLC, 601 Mccarthy Boulevard, Milpitas, CA 95035 (US)
Données relatives à la priorité :
11/179,095 11.07.2005 US
Titre (EN) MEMORY CELL COMPRISING A THIN FILM THREE-TERMINAL SWITCHING DEVICE HAVING A METAL SOURCE AND/OR DRAIN REGION
(FR) CELLULE MEMOIRE EQUIPEE D'UN DISPOSITIF DE COMMUTATION A TROIS BORNES ET A COUCHE MINCE PRESENTANT UNE REGION DE SOURCE ET/OU DE DRAIN METALLIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A nonvolatile memory cell comprising a switchable resistor memory element ion reservoir (212) , chalcogenide (214) , silicided top electrode (216 and 202) and a thin-film three- terminal switching device, preferably a MOSFET source/drain regions (220) , channel (224) , gate dielectric (226) , gate (228) in series. The switchable resistor memory element has the property of having at least two stable resistance states, for example a high- resistance state and a low-resistance state. It is switched between the two states, and its resistance state (and thus the data state of the cell) is sensed by providing appropriate current through the three-terminal switching device . At least one source/drain region of the switching device is not formed by a doped semiconductor region but forms a schottky contact with the channel . Preferred embodiments of the present invention include a highly dense monolithic three dimensional memory array in which multiple memory levels of such memory cells are formed above a single substrate such as a monocrystalline silicon wafer.
(FR)L'invention concerne une mémoire non volatile qui comprend un élément mémoire résistant commutable et un dispositif de commutation à trois bornes et à couche mince, de préférence un MOSFET, connecté en série. L'élément mémoire résistant commutable présente la propriété d'avoir au moins deux états de résistance stables, par exemple un état haute résistance et un état basse résistance. Ledit élément mémoire résistant commutable est commuté entre les deux états, et son état de résistance (et ainsi l'état des données de la cellule) est détecté par amenée d'un courant adéquat au moyen du dispositif de commutation à trois bornes. Dans des modes de réalisation préférés de l'invention, un réseau mémoire tridimensionnel monolithique haute densité dans lequel plusieurs niveaux de mémoire desdites cellules mémoire sont formés sur un substrat unique de type plaquette de silicium monocristallin est utilisé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)