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1. (WO2007008394) ORIENTATION D'UNE DIODE LASER SUR UN SUBSTRAT DESORIENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/008394    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/024846
Date de publication : 18.01.2007 Date de dépôt international : 27.06.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.02.2007    
CIB :
H01L 33/00 (2006.01), H01S 3/02 (2006.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703 (US) (Tous Sauf US).
BRANDES, George, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
VAUDO, Robert, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
XU, Xueping [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BRANDES, George, R.; (US).
VAUDO, Robert, P.; (US).
XU, Xueping; (US)
Mandataire : HULTQUIST, Steven, J.; INTELLECTUAL PROPERTY/TECHNOLOGY LAW, P.O. Box 14329, Research Triangle Park, NC 27709 (US)
Données relatives à la priorité :
60/699,659 11.07.2005 US
Titre (EN) LASER DIODE ORIENTATION ON MIS-CUT SUBSTRATES
(FR) ORIENTATION D'UNE DIODE LASER SUR UN SUBSTRAT DESORIENTE
Abrégé : front page image
(EN)A microelectronic assembly in which a semiconductor device structure is directionally positioned on an off-axis substrate (201). In an illustrative implementation, a laser diode is oriented on a GaN substrate (201) wherein the GaN substrate includes a GaN (0001) surface off-cut from the <0001> direction predominantly towards either the <1120> or the <11 00> family of directions. For a <11 20> off-cut substrate, a laser diode cavity (207) may be oriented along the <1 100> direction parallel to lattice surface steps (202) of the substrate (201) in order to have a cleaved laser facet that is orthogonal to the surface lattice steps. For <11 00> off-cut substrate, the laser diode cavity may be oriented along the <1 100> direction orthogonal to lattice surface steps (207) of the substrate (201) in order to provide a cleave laser facet that is aligned with the surface lattice steps.
(FR)L'invention concerne un ensemble microélectronique dans lequel une structure de dispositif à semi-conducteurs est placée dans une position adéquate sur un substrat hors-axe (201). Dans un mode de réalisation, une diode laser est orientée sur un substrat de GaN (201), ce substrat de GaN comprenant une surface (0001) de GaN désaxée à partir de la direction <0001> de façon prédominante dans la famille de directions <11-20> ou <1-100>. Pour un substrat désaxé selon <11-20>, une cavité (207) de diode laser peut être orientée le long de la direction <1-100> parallèlement aux marches superficielles (202) du réseau du substrat (201) de façon à former une facette de laser clivée qui est perpendiculaire aux marches superficielles du réseau. Pour un substrat désaxé selon <1-100>, la cavité de diode laser peut être orientée le long de la direction <1-100> perpendiculairement aux marches superficielles (207) du réseau du substrat (201) de façon à former une facette de laser clivée qui est alignée avec les marches superficielles du réseau.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)