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1. (WO2007008198) PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE CRISTAUX DE NITRURES DU GROUPE III DANS DE L'AMMONIAC SUPERCRITIQUE EN UTILISANT UN AUTOCLAVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/008198    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/024239
Date de publication : 18.01.2007 Date de dépôt international : 08.07.2005
CIB :
C30B 7/10 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor, Oakland, CA 94607 (US) (Tous Sauf US).
JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 4-1-8, Honcho, Kawaguchi City, Saitama Prefecture 332-0012 (JP) (Tous Sauf US).
FUJITO, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HASHIMOTO, Tadao [JP/US]; (US) (US Seulement).
NAKAMURA, Shuji [JP/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FUJITO, Kenji; (JP).
HASHIMOTO, Tadao; (US).
NAKAMURA, Shuji; (US)
Mandataire : GATES, George, H.; Gates & Cooper LLP, 6701 Center Drive West, Suite 1050, Los Angeles, CA 90045 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR GROWING GROUP III-NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA USING AN AUTOCLAVE
(FR) PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE CRISTAUX DE NITRURES DU GROUPE III DANS DE L'AMMONIAC SUPERCRITIQUE EN UTILISANT UN AUTOCLAVE
Abrégé : front page image
(EN)A method of growing high-quality, group-III nitride, bulk single crystals. The group III-nitride bulk crystal is grown in an autoclave in supercritical ammonia using a source material or nutrient that is a group III-nitride polycrystals or group-III metal having a grain size of at least 10 microns or more and a seed crystal that is a group-III nitride single crystal. The group III-nitride polycrystals may be recycled from previous ammonothermal process after annealing in reducing gas at more then 600°C. The autoclave may include an internal chamber that is filled with ammonia, wherein the ammonia is released from the internal chamber into the autoclave when the ammonia attains a supercritical state after the heating of the autoclave, such that convection of the supercritical ammonia transfers source materials and deposits the transferred source materials onto seed crystals, but undissolved particles of the source materials are prevented from being transferred and deposited on the seed crystals.
(FR)La présente invention concerne un procédé de croissance de cristaux isolés massifs de nitrures du groupe III de haute qualité. Le cristal massif de nitrure du groupe III est cultivé dans un autoclave dans de l'ammoniac supercritique en utilisant comme matière première ou nutriment des polycristaux de nitrure du groupe III ou un métal du groupe III ayant une grosseur de grain d'au moins 10 microns et un germe cristallin qui est un cristal isolé de nitrure du groupe III. Les polycristaux de nitrure du groupe III peuvent être recyclés à partir d'un procédé ammonio-thermique précédent après annelage dans un gaz réducteur à plus de 600 °C. L'autoclave peut inclure une chambre interne emplie d'ammoniac, cet ammoniac passant de la chambre interne dans l'autoclave quand il a atteint un état supercritique à la suite du chauffage de l'autoclave. La convection de l'ammoniac supercritique transfère la matière première et la dépose sur les germes cristallins, tout en empêchant les particules de matière première non dissoutes d'être transférées et déposées sur les germes cristallins.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)