WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007008027) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2007/008027 N° de la demande internationale : PCT/KR2006/002718
Date de publication : 18.01.2007 Date de dépôt international : 11.07.2006
CIB :
H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : AHN, Kang-Ho[KR/KR]; KR
Inventeurs : AHN, Kang-Ho; KR
Mandataire : DYNE PATENT & LAW FIRM; 3rd Floor, Shinmyeong Building, 645-21 Yeoksam-dong, Gangnam-gu Seoul 135-910, KR
Données relatives à la priorité :
10-2005-006236711.07.2005KR
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN) A method is disclosed for manufacturing a semiconductor memory device by obtaining ultra- fine particles of a nanometer size from a reaction gas through irradiation of high-energy rays, corona discharge and formation of an electric field. The method includes forming a source, a drain and a channel on a surface of a substrate, placing the substrate into a chamber of a ultra-fine particle producing apparatus for producing ultra- fine particles from a reaction gas, irradiating high energy light beams into the chamber by the high energy light source, supplying the reaction gas from a reaction gas supply means to a reaction gas inlet tube, producing the ultra-fine particles by introducing the reaction gas into the chamber, applying a voltage to the reaction gas inlet tube by a power supply means, and forming a nanocrystalline layer by depositing the ultra-fine particles on the surface of the substrate.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication de dispositif mémoire à semi-conducteur par l'obtention de particules ultrafines d'une taille manométrique à partir d'un gaz de réaction via l'irradiation de rayons de haute énergie, d'une décharge corona et la formation d'un champ électrique. Ce procédé consiste à former une source, un drain et un canal sur la surface d'un substrat, à placer ces substrats dans une chambre d'un appareil de production de particules ultrafines destiné à produisirent des particules ultrafines à partir d'un gaz de réaction, à irradier des faisceaux lumineux de haute énergie dans la chambre par une source lumineuse de haute énergie, à fournir le gaz réaction en provenance d'un organe de fourniture de gaz de réaction au niveau d'un tube d'entrée de gaz réaction, à produire les particules ultrafines par introduction du gaz de réaction dans la chambre, à appliquer une tension au tube d'entrée de gaz de réaction via un organe d'alimentation électrique et, à former une couche monocristalline par dépôt des particules ultrafines sur la surface du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)