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1. (WO2007007589) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/007589    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/313296
Date de publication : 18.01.2007 Date de dépôt international : 04.07.2006
CIB :
H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku Tokyo 1088001 (JP) (Tous Sauf US).
MURASE, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAMOTO, Hironobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OTA, Kazuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MURASE, Yasuhiro; (JP).
MIYAMOTO, Hironobu; (JP).
OTA, Kazuki; (JP)
Mandataire : HAYAMI, Shinji; Daikanyama TK Bldg. 1F 2-17-16, Ebisu-Nishi Shibuya-ku, Tokyo 150-0021 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-200384 08.07.2005 JP
Titre (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 電界効果トランジスタおよびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a group III nitride semiconductor field effect transistor having excellent operation stability which is able to be manufactured at high yield. Specifically disclosed is an HJFET (100) comprising a group III nitride semiconductor layer structure including a heterojunction between a GaN channel layer (112) and an AlGaN electron supply layer (113), a source electrode (101) and a drain electrode (103) formed separately from each other on the group III nitride semiconductor layer structure, and a gate electrode (102) arranged between the source electrode (101) and the drain electrode (103). An SiN film (121) is provided on the group III nitride semiconductor layer structure in a region between the gate electrode (102) and the drain electrode (103). At the interface between the SiN film (121) and the AlGaN electron supply layer (113), the impurity concentration in the AlGaN electron supply layer (113) is not more than 1E17 atoms/cm3.
(FR)La présente invention concerne un transistor à effet de champ en semi-conducteur au nitrure du groupe III présentant une excellente stabilité de fonctionnement et pouvant être fabriqué à un rendement élevé. Elle concerne spécifiquement un HJFET (100) comprenant une structure de couche de semi-conducteur au nitrure du groupe III comprenant une hétérojonction entre une couche de canal au GaN (112) et une couche d’alimentation en électrons au AlGaN (113), une électrode source (101) et une électrode de drain (103) formées séparément l’une de l’autre sur la structure de couche de semi-conducteur au nitrure du groupe III, et une électrode de gâchette (102) disposée entre l’électrode source (101) et l’électrode de drain (103). Une pellicule de SiN (121) est disposée sur la structure de couche en semi-conducteur au nitrure du groupe III dans une zone située entre l'électrode de gâchette (102) et l'électrode de drain (103). À l’interface entre la pellicule de SiN (121) et la couche d’alimentation en électrons au AlGaN (113), la concentration d’impuretés dans la couche d’alimentation en électrons au AlGaN (113) ne dépasse pas 1E17 atomes/cm3.
(JA) 動作安定性に優れ、高歩留まりで製造可能なIII族窒化物半導体電界効果トランジスタを提供する。HJFET100は、GaNチャネル層112とAlGaN電子供給層113とのヘテロ接合を含むIII族窒化物半導体層構造と、III族窒化物半導体層構造上に離間して形成されたソース電極101およびドレイン電極103と、ソース電極101とドレイン電極103の間に配置されたゲート電極102と、を備える。ゲート電極102とドレイン電極103との間の領域において、III族窒化物半導体層構造の上部にSiN膜121を有する。SiN膜121とAlGaN電子供給層113との界面におけるAlGaN電子供給層113中の不純物濃度が、1E17atoms/cm3以下である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)