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1. (WO2007007462) DISPOSITIF À ONDES LIMITES ÉLASTIQUES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/007462    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/309328
Date de publication : 18.01.2007 Date de dépôt international : 09.05.2006
CIB :
H03H 9/145 (2006.01), H03H 3/08 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/18 (2006.01), H01L 41/22 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (Tous Sauf US).
KANDO, Hajime [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KANDO, Hajime; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI, Chikara; 6F, Daido Seimei Bldg. 5-4, Tanimachi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5400012 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-205608 14.07.2005 JP
Titre (EN) ELASTIC BOUNDARY WAVE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À ONDES LIMITES ÉLASTIQUES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 弾性境界波装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)An elastic boundary wave device (1) reduced in size, enabling the advancement of a reduction in height, and manufacturable at low cost. A first IDT electrode (3) is formed on the first surface (2a) of a substrate (2), and a first dielectric film (5) is formed so as to cover the first IDT electrode (3). A second IDT electrode (4) is formed on the second surface (2b) of the substrate, and a second dielectric film (6) is formed so as to cover the second IDT electrode (4). Either of the substrate and the first and second dielectric films (5) and (6) comprises piezoelectricity.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à ondes limites élastiques (1) de taille réduite, qui favorise une diminution de la hauteur et peut être fabriqué à moindre coût. Une première électrode de transducteur interdigital (IDT) (3) est formée sur la première surface (2a) d'un substrat (2) et un premier film diélectrique (5) est disposé de manière à recouvrir la première électrode IDT (3). Une seconde électrode IDT (4) est formée sur la seconde surface (2b) du substrat et un second film diélectrique (6) est disposé de manière à recouvrir la seconde électrode IDT (4). Le substrat et le premier et le second film diélectrique (5, 6) possèdent chacun des propriétés piézoélectriques.
(JA) 小型であり、低背化を進めることができ、かつ安価に提供することができる弾性境界波装置を提供する。  基板2の第1の面2aに第1のIDT電極3が形成されており、第1のIDT電極3を覆うように第1の誘電体膜5が形成されており、第2の面2b上に第2のIDT電極4が形成されており、第2のIDT電極4を覆うように第2の誘電体膜6が形成されており、基板と第1,第2の誘電体膜5,6のうち、いずれか一方が圧電性を有する、弾性境界波装置1。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)