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1. (WO2007007445) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ POUR LE FABRIQUER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/007445    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/305702
Date de publication : 18.01.2007 Date de dépôt international : 22.03.2006
CIB :
H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 25/04 (2006.01), H01L 27/00 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01)
Déposants : Sanken Electric Co., Ltd. [JP/JP]; 6-3, Kitano 3-chome, Niiza-shi Saitama 3528666 (JP) (Tous Sauf US).
TORII, Katsuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TORII, Katsuyuki; (JP)
Mandataire : SHIMIZU, Keiichi; Kouwa Patent Office, 3rd Floor YK Nakameguro Building, 1-5 Nakameguro 3-chome Meguro-ku, Tokyo 1530061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-198447 07.07.2005 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ POUR LE FABRIQUER
(JA) 半導体装置及びその製法
Abrégé : front page image
(EN)A lower IGBT and an upper IGBT are excellently and firmly bonded by solder, the lower IGBT and a wire are firmly connected, and a highly reliable semiconductor device is formed. The semiconductor device is provided with a lower electrode layer (5) firmly bonded to the lower IGBT (1); an upper electrode layer (6) firmly bonded to the lower electrode layer (5); the upper IGBT (2) firmly bonded to the upper electrode layer (6); and the solder (7) for connecting the upper electrode layer (6) and the upper IGBT (2). The lower electrode layer (5) and the upper electrode layer (6) are formed of different materials, a wire connecting region (15) partially exposed to the external from a notched section (36) provided on the upper electrode layer (6) is arranged on an upper plane (5a) of the lower electrode layer (5), and a wire (8) is connected to the wire connecting region (15). The upper electrode layer (6) is formed of a material having excellent solderability, and the lower electrode layer (5) is formed of a material having high connecting strength with the wire (8).
(FR)La présente invention concerne un IGBT inférieur et un IGBT supérieur qui sont liés de manière excellente et ferme par une soudure, l’IGBT inférieur et un fil sont fermement connectés et un dispositif semi-conducteur extrêmement fiable est formé. Le dispositif semi-conducteur est équipé d'une couche d'électrode inférieure (5) fermement liée à l’IGBT inférieur (1) ; d’une couche d'électrode supérieure (6) fermement liée à la couche d'électrode inférieure (5) ; de l’IGBT (2) fermement lié à la couche d'électrode supérieure (6) ; et de la soudure (7) destinée à connecter la couche d'électrode supérieure (6) et l’IGBT supérieur (2). La couche d'électrode inférieure (5) et la couche d'électrode supérieure (6) sont faites de matériaux différents, une région de connexion de fil (15) partiellement exposée à l'extérieur à partir d'une partie munie d'encoches (36) formée sur la couche d'électrode supérieure (6) est disposée sur un plan supérieur (5a) de la couche d'électrode inférieure (5) et un fil (8) est connecté à la région de connexion de fil (15). La couche d'électrode supérieure (6) est formée d'un matériau ayant une excellente aptitude au soudage et la couche d'électrode inférieure (5) est formée d'un matériau ayant une résistance de connexion élevée avec le fil (8).
(JA) 下部IGBTと上部IGBTとを半田により良好に固着すると共に、下部IGBTとワイヤとを強固に接続して、信頼性の高い半導体装置を形成する。下部IGBT(1)に固着された下部電極層(5)と、下部電極層(5)に固着された上部電極層(6)と、上部電極層(6)に固着された上部IGBT(2)と、上部電極層(6)と上部IGBT(2)とを接続する半田(7)とを備える。下部電極層(5)と上部電極層(6)とを異なる材質により形成し、上部電極層(6)に設けた切欠部(36)から外部に部分的に露出する結線領域(15)を下部電極層(5)の上面(5a)に設け、結線領域(15)にワイヤ(8)を接続する。上部電極層(6)を半田付け性に優れた材質により形成し、下部電極層(5)をワイヤ(8)との接続強度の高い材質により形成することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)