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1. (WO2007006525) PROCEDE ET REACTEUR DE CROISSANCE DE CRISTAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/006525    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/006723
Date de publication : 18.01.2007 Date de dépôt international : 10.07.2006
CIB :
C30B 25/00 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01), C23C 16/453 (2006.01)
Déposants : POLITECNICO DI MILANO [IT/IT]; Piazza Leonardo da Vinci 32, I-20133 Milano (IT) (Tous Sauf US).
MASI, Maurizio [IT/IT]; (IT) (US Seulement)
Inventeurs : MASI, Maurizio; (IT)
Mandataire : DE ROS, Alberto; Industrial Property Counsellor, Via Michelangelo 53, I-22071 Cadorago (IT)
Données relatives à la priorité :
MI2005A001308 11.07.2005 IT
Titre (EN) METHOD AND REACTOR FOR GROWING CRYSTALS
(FR) PROCEDE ET REACTEUR DE CROISSANCE DE CRISTAUX
Abrégé : front page image
(EN)The reactor (1) for growing crystals on substrates comprises a reaction chamber (2), support means (3) for at least one seed (9), inlet means (50,51 ,52) for at least one reaction gas, inlet means (50,51 ,52) for combustion gasses and means for triggering combustion between said combustion gasses. The growth of a crystal on a seed (9) located inside (20) the reaction chamber (2) comprises the steps of introducing at least one reaction gas into the reaction chamber (2), introducing combustion gasses into the reaction chamber (2), triggering combustion between the combustion gasses and depositing the material so generated on the seed (9).
(FR)Selon cette invention, un réacteur (1) conçu pour la croissance de cristaux sur des substrats comprend une chambre de réaction (2), un dispositif de support (3) pour au moins un germe (9), un dispositif d'entrée (50,51, 52) pour au moins un gaz de réaction, un dispositif d'entrée (50, 51, 52) pour des gaz de combustion et un dispositif de déclenchement de la combustion entre lesdits gaz. La croissance d'un cristal sur un germe (9) situé à l'intérieur (20) de la chambre de réaction (2) consiste à introduire au moins un gaz de réaction dans la chambre de réaction (2) et des gaz de combustion dans ladite chambre de réaction (2), à déclencher la combustion entre lesdits gaz et à déposer la matière ainsi engendrée sur le germe (9).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)