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1. (WO2007006502) DISPOSITIF DE PUISSANCE POSSEDANT UNE STRUCTURE CASCODE MONOLITHE ET UNE DIODE ZENER INTEGREE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/006502    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/006670
Date de publication : 18.01.2007 Date de dépôt international : 07.07.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.05.2007    
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 27/07 (2006.01)
Déposants : STMICROELECTRONICS S.R.L. [IT/IT]; Via C. Olivetti, 2, I-20041 Agrate Brianza (IT) (Tous Sauf US).
RONSISVALLE, Cesare [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
ENEA, Vincenzo [IT/IT]; (IT) (US Seulement)
Inventeurs : RONSISVALLE, Cesare; (IT).
ENEA, Vincenzo; (IT)
Mandataire : BOTTI, Mario-Vannini; Botti & Ferrari S.r.l., Via Locatelli, 5, I-20124 Milano (IT)
Données relatives à la priorité :
05425492.5 08.07.2005 EP
Titre (EN) POWER DEVICE HAVING MONOLITHIC CASCODE STRUCTURE AND INTEGRATED ZENER DIODE
(FR) DISPOSITIF DE PUISSANCE POSSEDANT UNE STRUCTURE CASCODE MONOLITHE ET UNE DIODE ZENER INTEGREE
Abrégé : front page image
(EN)A power actuator (20) of the emitter-switched type is described, the power actuator comprising at least one high voltage bipolar transistor (2) and a low voltage DMOS transistor (3) connected in cascode configuration between a collector terminal (C) of the bipolar transistor (2) and a source terminal (S) of the DMOS transistor (3) and having respective control terminals (B, G). Advantageously according to the invention, the power actuator (20) further comprises at least a Zener diode (21), inserted between the source terminal (S) of the DMOS transistor (3) and the control terminal (B) of the bipolar transistor (2).
(FR)La présente invention se rapporte à un actionneur (20) du type commandé par émetteur, qui comprend au moins un transistor bipolaire à haute tension (2) et un transistor DMOS base tension (3), reliés selon une configuration cascode entre une borne de collecteur (C) du transistor bipolaire (2) et une borne de source (S) du transistor DMOS et possédant des bornes de commande (B, G) respectives. Avantageusement, conformément à l'invention, l'actionneur (20) comprend également au moins une diode Zener (21), introduite entre la borne de source (S) du transistor DMOS (3) et la borne de commande (B) du transistor bipolaire (2).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)