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1. (WO2007006001) DISPOSITIFS AU NITRURE III A MODE ENRICHI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/006001    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/026323
Date de publication : 11.01.2007 Date de dépôt international : 06.07.2006
CIB :
H01L 29/739 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION [US/US]; 233 Kansas Street, El Segundo, California 90245 (US) (Tous Sauf US).
BEACH, Robert [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BEACH, Robert; (US)
Mandataire : WEINER, Samuel, H.; Ostrolenk, Faber, Gerb & Soffen LLP, 1180 Avenue of the Americas, New York, New York 10036 (US)
Données relatives à la priorité :
60/696,985 06.07.2005 US
Titre (EN) III-NITRIDE ENHANCEMENT MODE DEVICES
(FR) DISPOSITIFS AU NITRURE III A MODE ENRICHI
Abrégé : front page image
(EN)A III-nitride power semiconductor device that includes a gate barrier under the gate thereof, and a method for fabricating the device.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur de puissance au nitrure III qui comprend une barrière de grille, prévue sous la grille du dispositif, et un procédé de fabrication du dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)