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1. (WO2007005813) FILMS SEMI-CONDUCTEURS INORGANIQUES ET PROCEDES CORRESPONDANTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/005813    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/025953
Date de publication : 11.01.2007 Date de dépôt international : 29.06.2006
CIB :
H01L 21/368 (2006.01), C23C 26/00 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; Hewlett-Packard Company, Intellectual Property Administration, 20555 S.H. 249, Houston, Texas 77070 (US) (Tous Sauf US).
PUNSALAN, David [US/US]; (US) (US Seulement).
THOMPSON, John [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PUNSALAN, David; (US).
THOMPSON, John; (US)
Mandataire : COULMAN, Donald J.; Hewlett-Packard Company, Intellectual Property Administration, P.O. Box 272400 Mail Stop 35, Fort Collins, Colorado 80527-2400 (US)
Données relatives à la priorité :
11/173,521 02.07.2005 US
Titre (EN) INORGANIC SEMICONDUCTIVE FILMS AND METHODS THEREFOR
(FR) FILMS SEMI-CONDUCTEURS INORGANIQUES ET PROCEDES CORRESPONDANTS
Abrégé : front page image
(EN)Inorganic semiconductive films are made by depositing a suitable precursor sustance upon a substrate (S20), irradiating the precursor substance with electromagnetic radiation to form a nascent film (S30), and heating the nascent film at a predetermined temperature to form an inorganic semiconductive film (S40).
(FR)La présente invention concerne des films semi-conducteurs inorganiques s'obtenant par dépôt d'un précurseur approprié sur un substrat (S20), exposition du précurseur à un rayonnement électromagnétique pour former un film à l'état naissant (S30), et chauffage du film à l'état naissant jusqu'à une température définie de façon à former un film semi-conducteur inorganique (S40).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)