WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007005697) ARCHITECTURES DE CONTACT DE BLOC POUR TRANSISTORS A CANAUX DE NANO-ECHELLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/005697    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/025751
Date de publication : 11.01.2007 Date de dépôt international : 29.06.2006
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
RADOSAVLJEVIC, Marko [US/US]; (US) (US Seulement).
MAJUMDAR, Amlan [IN/US]; (US) (US Seulement).
DOYLE, Brian, S. [IE/US]; (US) (US Seulement).
KAVALIEROS, Jack [US/US]; (US) (US Seulement).
DOCZY, Mark, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
BRASK, Justin, K. [CA/US]; (US) (US Seulement).
SHAH, Uday [NP/US]; (US) (US Seulement).
DATTA, Suman [IN/US]; (US) (US Seulement).
CHAU, Robert, S. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RADOSAVLJEVIC, Marko; (US).
MAJUMDAR, Amlan; (US).
DOYLE, Brian, S.; (US).
KAVALIEROS, Jack; (US).
DOCZY, Mark, L.; (US).
BRASK, Justin, K.; (US).
SHAH, Uday; (US).
DATTA, Suman; (US).
CHAU, Robert, S.; (US)
Mandataire : WEBSTER, Thomas, C.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 12400 Wilshire Boulevard, 7th Floor, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
11/173,866 30.06.2005 US
Titre (EN) BLOCK CONTACT ARCHITECTURES FOR NANOSCALE CHANNEL TRANSISTORS
(FR) ARCHITECTURES DE CONTACT DE BLOC POUR TRANSISTORS A CANAUX DE NANO-ECHELLE
Abrégé : front page image
(EN)A contact architecture for nanoscale channel devices having contact structures coupling to and extending between source or drain regions of a device having a plurality of parallel semiconductor bodies. The contact structures being able to contact parallel semiconductor bodies having sub-lithographic pitch.
(FR)L'invention concerne une architecture de contact pour dispositifs à canaux de nano-échelle possédant des structures de contact se couplant et s'étendant entre des régions de source ou de drain d'un dispositif pourvu d'une pluralité de corps semi-conducteurs parallèles. Ces structures de contact sont capables de rentrer en contact avec des corps semi-conducteurs parallèles dotés d'un pas sublithographique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)