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1. (WO2007004890) RÉDUCTION DES FORCES D’ATTRACTION ENTRE DES TRANCHES DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/004890    N° de la demande internationale :    PCT/NO2006/000244
Date de publication : 11.01.2007 Date de dépôt international : 26.06.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.04.2007    
CIB :
B28D 5/00 (2006.01), B23D 57/00 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : REC SCANWAFER AS [NO/NO]; Tormod Gjestlands Vei 41, N-3908 Porsgrunn (NO) (Tous Sauf US).
SAUAR, Erik [NO/NO]; (NO) (US Seulement).
WANG, Per Arne [NO/NO]; (NO) (US Seulement)
Inventeurs : SAUAR, Erik; (NO).
WANG, Per Arne; (NO)
Mandataire : ONSAGERS AS; P.o. Box 6963 St. Olavs Plass, N-0130 Oslo (NO)
Données relatives à la priorité :
60/695,451 01.07.2005 US
Titre (EN) REDUCTION OF ATTRACTION FORCES BETWEEN SILICON WAFERS
(FR) RÉDUCTION DES FORCES D’ATTRACTION ENTRE DES TRANCHES DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is related to a method for reducing attraction forces between wafers (4). This method is characterized in that it comprises the step of, after sawing and before dissolution of the adhesive (5), introducing spacers (6) between wafers (4). The invention comprises also a wafer singulation method and an agent for use in said methods .
(FR)La présente invention concerne un procédé de réduction des forces d’attraction entre des tranches (4). Ce procédé est caractérisé en ce qu’il comprend l’étape, après le sciage et avant la dissolution de l’adhésif (5), d’introduction de pièces d’écartement (6) entre les tranches (4). L’invention concerne également un procédé de séparation de tranches et un agent utilisé dans lesdits procédés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)