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1. (WO2007004745) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2007/004745 N° de la demande internationale : PCT/JP2006/313806
Date de publication : 11.01.2007 Date de dépôt international : 05.07.2006
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
Déposants : TAKEUCHI, Ryouichi[JP/JP]; JP (UsOnly)
MATSUMURA, Atsushi[JP/JP]; JP (UsOnly)
WATANABE, Takashi[JP/JP]; JP (UsOnly)
SHOWA DENKO K.K.[JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome Minato-ku Tokyo 105-8518, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : TAKEUCHI, Ryouichi; JP
MATSUMURA, Atsushi; JP
WATANABE, Takashi; JP
Mandataire : FUKUDA, Kenzo ; Kashiwaya Bldg. 6-13, Nishishinbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-0003, JP
Données relatives à la priorité :
2005-19574705.07.2005JP
2005-29959914.10.2005JP
2006-01355423.01.2006JP
60/697,95912.07.2005US
60/728,32520.10.2005US
60/763,92701.02.2006US
Titre (EN) LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD FOR FABRICATION THEREOF
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A light-emitting diode includes a substrate, a compound semiconductor layer including a p-n junction-type light-emitting part formed on the substrate, an electric conductor disposed on the compound semiconductor layer and formed of an electrically conductive material optically transparent to the light emitted from the light-emitting part and a high resistance layer possessing higher resistance than the electric conductor and provided in the middle between the compound semiconductor layer and the electric conductor. In the configuration of a light-emitting diode lamp, the electric conductor and the electrode disposed on the semiconductor layer on the side opposite to the electric conductor across the light-emitting layer are made to assume an equal electric potential by means of wire bonding. The light-emitting diode abounds in luminance and excels in electrostatic breakdown voltage.
(FR) La présente invention concerne une diode électroluminescente comprenant un substrat, une couche à composé semi-conducteur contenant un élément électroluminescent à liaison p-n formée sur le substrat, un conducteur électrique disposé sur la couche à composé semi-conducteur et formé d’un matériau conducteur transparent à la lumière émise par l’élément électroluminescent, et une couche à résistance élevée présentant une résistance supérieure à celle du conducteur électrique et disposée entre la couche à composé semi-conducteur et le conducteur électrique. Dans la configuration d’une lampe à diode électroluminescente, le conducteur électrique et l’électrode disposée sur la couche à semi-conducteur sur le côté opposé au conducteur aux bornes de la couche électroluminescente sont amenés à prendre un potentiel électrique égal au moyen d’une connexion de fils. La diode électroluminescente offre une forte luminance et une excellente tension de claquage électrostatique.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)