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1. (WO2007004576) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/004576    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/313123
Date de publication : 11.01.2007 Date de dépôt international : 30.06.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.02.2007    
CIB :
H05H 1/46 (2006.01), C23C 16/511 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY [JP/JP]; 1, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya-shi, Aichi 4648601 (JP) (Tous Sauf US).
Advanced LCD Technologies Development Center Co., Ltd. [JP/JP]; 292, Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2440817 (JP) (Tous Sauf US).
SUGAI, Hideo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IDE, Tetsuya [JP/JP]; (US Seulement).
SASAKI, Atsushi [JP/JP]; (US Seulement).
AZUMA, Kazufumi [JP/JP]; (US Seulement)
Inventeurs : SUGAI, Hideo; (JP).
IDE, Tetsuya; .
SASAKI, Atsushi; .
AZUMA, Kazufumi;
Mandataire : SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE 1-12-9, Toranomon Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-196555 05.07.2005 JP
Titre (EN) PLASMA TREATMENT APPARATUS AND PLASMA TREATMENT METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Abrégé : front page image
(EN)A stress applied to a slot board and a dielectric for generating surface plasma is reduced by depressurizing inside a vacuum waveguide tube for propagating microwaves to high vacuum, preventing abnormal discharge in the vacuum waveguide tube and the slot board, and by reducing a pressure difference between a pressure inside the treatment chamber and that inside the vacuum waveguide tube. Thus, high quality plasma treatment is performed.
(FR)L'invention concerne une tension qui est appliquée à une carte et un diélectrique destiné à générer un plasma pour un traitement de surface, réduit par dépressurisation à l'intérieur d'un guide d'ondes tubulaire sous vide destiné à la propagation de micro-ondes en vide poussé, empêchant une décharge anormale dans le guide d'ondes et la carte, et par réduction d'une différence de pression entre l'intérieur de la chambre de traitement et l'intérieur du guide d'ondes. Un traitement par plasma de qualité élevée est ainsi possible.
(JA) 本発明は、マイクロ波を伝播する真空導波管内を高真空に減圧して、真空導波管内やスロット板における異常放電を防止し、且つ処理チャンバ内と真空導波管内との圧力差を少なくすることにより、スロット板及び表面プラズマを発生させるための誘電体に加わる応力を減少させて、高品質なプラズマ処理を実施するためのプラズマ処理装置である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)