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1. (WO2007004256) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION IDOINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/004256    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/012059
Date de publication : 11.01.2007 Date de dépôt international : 30.06.2005
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01)
Déposants : SPANSION LLC [US/US]; One AMD Place, P.O.Box 3453, Sunnyvale, California 940883453 (US) (Tous Sauf US).
SPANSION JAPAN LIMITED [JP/JP]; 6, Kogyodanchi, Monden-machi, Aizuwakamatsu-shi, Fukushima 9650845 (JP) (Tous Sauf US).
ENDA, Takayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MORIYA, Masayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ENDA, Takayuki; (JP).
MORIYA, Masayuki; (JP)
Mandataire : KATAYAMA, Shuhei; Mitsui Sumitomo Marine Tepco Building 6-1, Kyobashi 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION IDOINE
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device comprising a lower wiring layer (first metal layer) (16) formed on a semiconductor substrate, an interlayer insulating film (22) formed on the lower wiring layer (16), a plug metal (26) which is formed in a contact hole (opening) formed in the interlayer insulating film (22) in contact with the lower wiring layer (foundation layer) (16) and connected with the lower wiring layer (16), and a first barrier layer (24) formed between the plug metal (26) and the interlayer insulating film (22) and having a chemical composition different from that of the lower wiring layer (foundation layer). Also disclosed is a method for manufacturing such a semiconductor device. In this semiconductor device, the contact resistance between the plug metal (26) and the lower wiring layer (16) can be reduced.
(FR)L’invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant une couche de câblage inférieure (première couche de métal) (16) formée sur un substrat semi-conducteur, un film isolant intercouche (22) formé sur la couche de câblage inférieure (16), un bouchon de métal (26) qui est formé dans un trou de contact (ouverture) pratiqué dans le film isolant intercouche (22) au contact de la couche de câblage inférieure (couche de fondation) (16) et connecté à la couche de câblage inférieure (16), et une première couche de protection (24) formée entre le bouchon de métal (26) et le film isolant intercouche (22) et d’une composition chimique différente de celle de la couche de câblage inférieure (couche de fondation). Elle concerne également un procédé de fabrication d’un tel dispositif semi-conducteur. Dans ce dispositif semi-conducteur, la résistance de contact entre le bouchon de métal (26) et la couche de câblage inférieure (16) peut être réduite.
(JA)本発明は、半導体基板上に設けられた下層配線層(第1の金属層)(16)と、下層配線層(16)上に設けられた層間絶縁膜(22)と、層間絶縁膜(22)内に形成されたコンタクトホール(開口部)内に下層配線層(下地層)(16)に接して設けられ、下層配線層(16)と接続するプラグ金属(26)と、プラグ金属(26)と層間絶縁膜(22)の間に形成され、下層配線層(下地層)と組成の異なる第1のバリア層(24)と、を具備する半導体装およびその製造方法である。本発明によれば、プラグ金属(26)と下層配線層(16)の接触抵抗を低減することの可能な半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)