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1. (WO2007004096) PROCEDES DE FABRICATION D'UN FILM EN SILICIUM CRISTALLIN ET TRANSISTORS A FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/004096    N° de la demande internationale :    PCT/IB2006/052046
Date de publication : 11.01.2007 Date de dépôt international : 23.06.2006
CIB :
H01L 21/322 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : KAKKAD, Ramesh [IN/CN]; (TW)
Inventeurs : KAKKAD, Ramesh; (TW)
Mandataire : V.N, Sabitha; White Forest Law Offices, No.118, B-wing, Carlton Towers, 1, Airport Road, Bangalore 560008 (IN)
Données relatives à la priorité :
60/695,287 30.06.2005 US
Titre (EN) METHODS OF FABRICATING CRYSTALLINE SILICON FILM AND THIN FILM TRANSISTORS
(FR) PROCEDES DE FABRICATION D'UN FILM EN SILICIUM CRISTALLIN ET TRANSISTORS A FILM MINCE
Abrégé : front page image
(EN)A method by which solid phase crystallization (SPC) thermal budget for crystallizing an undoped (or a lightly doped) amorphous Si (a-Si) is significantly reduced. First, a composite layer structure consisting of an undoped (or a lightly doped) a-Si layer (60) and a heavily doped (either p-type or n-type) a-Si layer (61 ) is formed and it is subsequently annealed at an elevated temperature (62). The solid phase crystallization starts from the heavily doped amorphus silicon layer at a substantially reduced thermal budget and proceeds to crystallize the undoped amorphous silicon layer in contact with the heavily doped film at reduced thermal budget. The method can be applied to form poly silicon thin film transistor at reduced thermal budgets.
(FR)L'invention concerne un procédé, au moyen duquel un budget thermique de cristallisation à phase solide destiné à la cristallisation d'un silicium amorphe (a- Si) non dopé (ou légèrement dopé) est considérablement réduit. Dans un premier temps, une structure à couches composites contenant une couche a-Si non dopée (ou légèrement dopée) et une couche a-Si fortement dopée (de type p ou de type n) est formée et, puis, elle est recuite à une température élevée. La cristallisation à phase solide débute à partir de la couche de silicium amorphe fortement dopée à un budget thermique sensiblement réduit et elle en arrive, ensuite, à cristalliser la couche de silicium amorphe non dopée en contact avec le film fortement dopé à un budget thermique réduit. Ce procédé peut être appliqué afin de former un transistor à film mince en polysilicium à des budgets thermiques réduits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)