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1. (WO2007004014) NANOPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES A MODIFICATION DE SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/004014    N° de la demande internationale :    PCT/IB2006/001788
Date de publication : 11.01.2007 Date de dépôt international : 29.06.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.06.2007    
CIB :
B82B 3/00 (2006.01), H01L 29/772 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01), C30B 29/60 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF CAPE TOWN [ZA/ZA]; Observatory, 8000 Cape Town (ZA) (Tous Sauf US).
BRITTON, David Thomas [GB/ZA]; (ZA) (US Seulement).
HÄRTING, Margit [DE/ZA]; (ZA) (US Seulement)
Inventeurs : BRITTON, David Thomas; (ZA).
HÄRTING, Margit; (ZA)
Mandataire : SPOOR & FISHER; P O Box 454, 0001 Pretoria (ZA)
Données relatives à la priorité :
2005/05300 30.06.2005 ZA
Titre (EN) SEMICONDUCTING NANOPARTICLES WITH SURFACE MODIFICATION
(FR) NANOPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES A MODIFICATION DE SURFACE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to semiconducting nanoparticles. The nanoparticles of the invention comprise a single element or a compound of elements in one or more of groups II, III, IV, V, VI. The nanoparticles have a size in the range of 1 nm to 500nm, and comprise from 0.1 to 20 atomic percent of oxygen or hydrogen. The nanoparticles are typically formed by comminution of bulk high purity silicon. One application of the nanoparticles is in the preparation of inks which can be used to define active layers or structures of semiconductor devices by simple printing methods.
(FR)La présente invention concerne des nanoparticules semi-conductrices qui comprennent un élément unique ou un composé d'éléments appartenant à un ou plusieurs des groupes II, III, IV, V, VI. Ces nanoparticules présentent une taille située entre 1 nm et 500 nm et contiennent de 0,1 à 20 % atomique d'oxygène ou d'hydrogène. Les nanoparticules sont généralement formées par comminution de silicium en vrac très pur. Ces nanoparticules peuvent être mises en oeuvre afin de préparer des encres utilisées pour définir des couches ou des structures actives de dispositifs semi-conducteurs au moyen de procédés d'impression simples.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)