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1. (WO2007003223) PROCEDE ET APPAREIL DE FORMATION D'UNE COUCHE DE METAL NOBLE, SPECIFIQUEMENT SUR DES CARACTERISTIQUES METALLIQUES INCRUSTEES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/003223    N° de la demande internationale :    PCT/EP2005/010043
Date de publication : 11.01.2007 Date de dépôt international : 04.07.2005
CIB :
C23C 18/18 (2006.01), C23C 18/16 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H05K 3/00 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 7700 West Parmer Lane, Austin, TX 78729 (US) (Tous Sauf US).
SPARKS, Terry [US/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : SPARKS, Terry; (FR)
Mandataire : WHARMBY, Martin, Angus; c/o Impetus IP Ltd, Grove House, Lutyens Close, Chineham Court, Basingstoke, Hampshire RG24 8AG (GB)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR FORMING A NOBLE METAL LAYER, NOTABLY ON INLAID METAL FEATURES
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE FORMATION D'UNE COUCHE DE METAL NOBLE, SPECIFIQUEMENT SUR DES CARACTERISTIQUES METALLIQUES INCRUSTEES
Abrégé : front page image
(EN)A cap layer for a metal feature such as a copper interconnect on a semiconductor wafer is formed by immersion plating a more noble metal (e.g. Pd) onto the copper interconnect and breaking up, preferably by mechanical abrasion, loose nodules of the noble metal that form on the copper interconnect surface. The mechanical abrasion removes plated noble metal which is only loosely attached to the copper surface, and then continued exposure of the copper surface to immersion plating chemicals leads to plating at new sites on the surface until a continuous, well-bonded noble metal layer has formed. The method can be implemented conveniently by supplying immersion plating chemicals to the surface of a wafer undergoing CMP or undergoing scrubbing in a wafer-scrubber apparatus.
(FR)Une couche d'encapsulation pour une caractéristique métallique telle qu'une interconnexion en cuivre située sur une tranche de semiconducteur est formée par un procédé de dépôt au trempé d'un métal plus noble (par exemple Pd) sur l'interconnexion en cuivre suivi par la rupture, de préférence par abrasion mécanique, des nodules à l'état libre du métal noble qui se forment sur la surface de l'interconnexion en cuivre. L'abrasion mécanique élimine le métal noble plaqué qui n'est fixé que de manière lâche à la surface en cuivre et l'exposition continue de la surface en cuivre au procédé de dépôt au trempé d'agents chimiques forme un dépôt à des nouveaux endroits de la surface en cuivre jusqu'à ce qu'une couche de métal noble continue bien liée soit formée. Le procédé peut être mis en oeuvre de manière commode par le dépôt au trempé d'agents chimiques sur la surface d'une tranche soumise à une planarisation chimico-mécanique (CMP) ou soumise à un lavage dans une machine de nettoyage des tranches.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)