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1. (WO2007002426) STRUCTURES DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTRICES ET PROCEDES DESTINES A FORMER DES STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/002426    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/024516
Date de publication : 04.01.2007 Date de dépôt international : 20.06.2006
CIB :
H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/04 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, California 95052 (US) (Tous Sauf US).
BRASK, Justin [US/US]; (US) (US Seulement).
KAVALIEROS, Jack [US/US]; (US) (US Seulement).
DOYLE, Brian [IE/US]; (US) (US Seulement).
SHAH, Uday [NP/US]; (US) (US Seulement).
DATTA, Suman [IN/US]; (US) (US Seulement).
MAJUMDAR, Amlan [IN/US]; (US) (US Seulement).
CHAU, Robert [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BRASK, Justin; (US).
KAVALIEROS, Jack; (US).
DOYLE, Brian; (US).
SHAH, Uday; (US).
DATTA, Suman; (US).
MAJUMDAR, Amlan; (US).
CHAU, Robert; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester J.; BLAKELY SOKOLOFF TAYLOR & ZAFMAN, 12400 Wilshire Boulevard, 7th Floor, Los Angeles, California 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
11/158,661 21.06.2005 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES AND METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR STRUCTURES
(FR) STRUCTURES DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTRICES ET PROCEDES DESTINES A FORMER DES STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES
Abrégé : front page image
(EN)A method of patterning a semiconductor film is described. According to an embodiment of the present invention, a hard mask material is formed on a silicon film having a global crystal orientation wherein the semiconductor film has a first crystal plane and second crystal plane, wherein the first crystal plane is denser than the second crystal plane and wherein the hard mask is formed on the second crystal plane. Next, the hard mask and semiconductor film are patterned into a hard mask covered semiconductor structure. The hard mask covered semiconductor structured is then exposed to a wet etch process which has sufficient chemical strength to etch the second crystal plane but insufficient chemical strength to etch the first crystal plane.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de motif sur un film semi-conducteur. Selon un mode de réalisation de la présente invention, un matériau de masque dur est formé sur un film de silicium présentant une orientation cristalline globale, le film semi-conducteur comprenant un premier plan cristallin et un second plan cristallin, le premier plan cristallin étant plus dense que le second plan cristallin, le masque dur étant formé sur le second plan cristallin. Ensuite, le masque dur et le film semi-conducteur sont soumis à une formation de motif en vue de l'obtention d'une structure semi-conductrice recouverte d'un masque dur. La structure semi-conductrice recouverte d'un masque dur est alors soumise à une opération de gravure humide présentant une action chimique suffisante pour graver le second plan cristallin mais insuffisante pour graver le premier plan cristallin.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)