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1. (WO2007002424) COUCHE DE PROTECTION D’ARGENT POUR MINIMISER LA CROISSANCE DE POINTS DE CONTACT DANS LES ÉLECTRODÉPÔTS D’ÉTAIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/002424    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/024514
Date de publication : 04.01.2007 Date de dépôt international : 23.06.2006
CIB :
C25D 3/30 (2006.01), C25D 3/32 (2006.01), C25D 5/10 (2006.01), C25D 5/34 (2006.01), H05K 3/24 (2006.01), H05K 3/34 (2006.01), H01L 23/498 (2006.01), H01L 23/495 (2006.01)
Déposants : TECHNIC, INC. [US/US]; 1 Spectacle Street, Cranston, Rhode Island 02910 (US) (Tous Sauf US).
SCHETTY, Robert, A., III [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SCHETTY, Robert, A., III; (US)
Mandataire : FANUCCI, Allan, A.; WINSTON & STRAWN LLP, Patent Department, 1700 K Street, N.W., Washington, District Of Columbia 20006-3817 (US)
Données relatives à la priorité :
60/693,701 24.06.2005 US
Titre (EN) SILVER BARRIER LAYER TO MINIMIZE WHISKER GROWTH IN TIN ELECTRODEPOSITS
(FR) COUCHE DE PROTECTION D’ARGENT POUR MINIMISER LA CROISSANCE DE POINTS DE CONTACT DANS LES ÉLECTRODÉPÔTS D’ÉTAIN
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method of reducing tin whisker formation in a plated substrate that includes a surface layer comprising tin. The method includes providing on electroplatable portions of the substrate (a) an underlayer comprising silver or (b) a barrier layer that passes a mechanical load test when the surface layer, after 48 hours of contact with a 1mm hemispherical tip that carries a load of between 500 to 2000 g, exhibits no whiskers having a length of greater than 5 microns. The underlayer or barrier layer, whichever is present, is provided in a thickness sufficient to prevent formation of intermetallic compounds between the substrate and surface layer so that the surface layer exhibits reduced whisker formation compared to the same surface layer deposited directly upon the substrate. Typically, the underlayer or barrier layer includes 50 to 100% by weight silver or similar ductile material.
(FR)L’invention concerne un procédé de réduction de formation de pointes de contact d’étain dans un substrat plaqué contenant une couche superficielle comprenant de l’étain. Le procédé consiste à fournir sur des portions d’électroplacage du substrat (a) une sous-couche comprenant de l’argent ou bien (b) une couche de protection satisfaisant à un test de contrainte mécanique lorsque la couche superficielle, au bout de 48 heures de contact avec une pointe hémisphérique d’un millimètre supportant une charge comprise entre 500 et 2000 g, ne présente aucun point de contact d’une longueur supérieure à 5 microns. La sous-couche ou couche de protection a une épaisseur suffisante pour empêcher la formation de composés intermétalliques entre le substrat et la couche superficielle de sorte que la couche superficielle manifeste une formation de points de contact réduite par comparaison avec la même couche superficielle déposée directement sur le substrat. Typiquement, la sous-couche ou la couche de protection comporte de 50 à 100% en poids d’argent ou de matériau ductile similaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)