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1. (WO2007002266) STRUCTURES A CAPACITE DE DETECTION DE DUREE DE VIE INTEGREE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/002266    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/024271
Date de publication : 04.01.2007 Date de dépôt international : 22.06.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.01.2007    
CIB :
G01M 17/02 (2006.01), G01L 1/14 (2006.01), G01L 9/00 (2006.01), G01M 3/40 (2006.01)
Déposants : PURDUE RESEARCH FOUNDATION [US/US]; 3000 Kent Avenue, West Lafayette, IN 47906-1075 (US) (Tous Sauf US).
KRUTZ, Gary, William [US/US]; (US).
HARMEYER, Keith [US/US]; (US).
HOLLAND, Michael, A. [US/US]; (US)
Inventeurs : KRUTZ, Gary, William; (US).
HARMEYER, Keith; (US).
HOLLAND, Michael, A.; (US)
Mandataire : HARTMAN, Gary, M.; Hartman & Hartman, P.C., 552 East 700 North, Valparaiso, IN 46383 (US)
Données relatives à la priorité :
60/595,318 22.06.2005 US
11/425,931 22.06.2006 US
Titre (EN) STRUCTURES WITH INTEGRAL LIFE-SENSING CAPABILITY
(FR) STRUCTURES A CAPACITE DE DETECTION DE DUREE DE VIE INTEGREE
Abrégé : front page image
(EN)A structure (10, 50) subjected to stresses that can lead to structural failure. The structure (10, 50) includes first and second conductive layers (16, 18, 56,58) and an intermediate layer (20, 60) therebetween formed of a dielectric, semiconductive, or resistive material, such that the first, second, and intermediate layers (16, 18, 20, 56, 58, 60) form in combination an electrical element, namely, a capacitive or resistive element. The electrical element is located within the structure (10, 50) so as to be physically responsive to transitory and permanent distortions of the structure (10, 50) resulting from extrinsic and intrinsic sources. The structure (10, 50) further includes applying an electrical potential to at least one of the first and second conductive layers (16, 18, 56, 58) so as to generate an electrical signal from the electrical element, sensing changes in the electrical signal generated by the electrical element in response to the electrical element physically responding to the transitory and permanent distortions, and transmitting the changes in the electrical signal to a location remote from the structure (10, 50).
(FR)L'invention concerne une structure (10, 50) soumise à des contraintes qui peuvent conduire à une défaillance structurelle. La structure (10, 50) comprend des première et seconde couches conductrices (16, 18, 56,58) et une couche intermédiaire (20, 60) constituée d'un matériau diélectrique, semi-conducteur, ou résistif, de sorte que la première couche, la seconde couche et la couche intermédiaire (16, 18, 20, 56, 58, 60) forment en combinaison un élément électrique, à savoir, un élément capacitif ou résistif. L'élément électrique est placé dans la structure (10, 50) de manière à être physiquement sensible à des distorsions transitoires et permanentes de la structure (10, 50) résultant de sources extrinsèques et intrinsèques. La structure (10, 50) comprend également des moyens permettant d'appliquer un potentiel électrique sur au moins une des première et seconde couches conductrices (16, 18, 56, 58) de manière à générer un signal électrique à partir de l'élément électrique, de détecter des changements au niveau du signal électrique généré par l'élément électrique en réaction à la réponse physique de l'élément électrique aux distorsions transitoires et permanentes, ainsi que de transmettre les changements au niveau du signal électrique vers un emplacement éloigné de la structure (10, 50).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)