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1. (WO2007002061) AMPLIFICATEUR A GAIN VARIABLE A COMPENSATION DE TEMPERATURE ET LINEARITE DE GAIN AMELIOREES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/002061    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/023941
Date de publication : 04.01.2007 Date de dépôt international : 20.06.2006
CIB :
H03G 1/00 (2006.01)
Déposants : LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION [US/US]; 1630 McCarthy Boulevard, Milpitas, CA 95035-7417 (US) (Tous Sauf US).
ZOU, Min, Z. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ZOU, Min, Z.; (US)
Mandataire : BECKER, Stephen, A.; McDermott Will & Emery LLP, 600 13th Street, NW, Washington, DC 20005-3096 (US)
Données relatives à la priorité :
11/166,279 27.06.2005 US
Titre (EN) VARIABLE GAIN AMPLIFIER WITH TEMPERATURE COMPENSATION AND GAIN LINEARITY ENHANCEMENT
(FR) AMPLIFICATEUR A GAIN VARIABLE A COMPENSATION DE TEMPERATURE ET LINEARITE DE GAIN AMELIOREES
Abrégé : front page image
(EN)A variable gain amplifier contains a plurality of differential transistor pairs. A temperature dependent current is generated in the current path of each differential transistor pair. A generated gain control current is converted to a temperature dependent gain control current and applied in circuit with control inputs of the transistors of the paired differential transistors. The temperature dependent gain control current is obtained from a gain control current corresponding to a desired gain which is then multiplying the control current by the temperature dependent current. The temperature dependent gain control current is modified to compensate for gain non-linearity by introducing an offset as a function of the gain control current.
(FR)L'invention concerne un amplificateur à gain variable qui contient une pluralité de paires de transistors différentiels. Un courant dépendant de la température est généré dans le chemin de courant de chaque paire de transistors différentiels. Un courant de commande de gain généré est converti en courant de commande de gain dépendant de la température et appliqué dans le circuit aux entrées de commande des transistors des paires de transistors différentiels. Le courant de commande de gain dépendant de la température est obtenu à partir d'un courant de commande de gain correspondant à un gain désiré puis par multiplication du courant de commande par le courant dépendant de la température. Le courant de commande de gain dépendant de la température est modifié afin que soit compensée la non-linéarité de gain par introduction d'un décalage en fonction du courant de commande de gain.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)