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1. (WO2007002040) PROCEDE DE FABRICATION DE MATERIAUX CONTENANT DU SILICIUM AU COURS D'UN PROCESSUS DE DEPOT PAR PHOTOEXCITATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/002040    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/023915
Date de publication : 04.01.2007 Date de dépôt international : 20.06.2006
CIB :
H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/469 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [--/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, California 95054 (US) (Tous Sauf US).
SINGH, Kaushal K [US/US]; (US) (US Seulement).
RANISH, Joseph M [US/US]; (US) (US Seulement).
SEUTTER, Sean M [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SINGH, Kaushal K; (US).
RANISH, Joseph M; (US).
SEUTTER, Sean M; (US)
Mandataire : PATTERSON, B Todd; PATTERSON & SHERIDAN LLP, 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, Texas 77056 (US)
Données relatives à la priorité :
11/157,567 21.06.2005 US
Titre (EN) METHOD FOR FORMING SILICON-CONTAINING MATERIALS DURING A PHOTOEXCITATION DEPOSITION PROCESS
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE MATERIAUX CONTENANT DU SILICIUM AU COURS D'UN PROCESSUS DE DEPOT PAR PHOTOEXCITATION
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the invention generally provide a method for depositing films using a UV source during a photoexcitation process. The films are deposited on a substrate and contain a material, such as silicon (e.g., epitaxy, crystalline, microcrystalline, polysilicon, or amorphous), silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or other silicon-containing materials. The photoexcitation process may expose the substrate and/or gases to an energy beam or flux prior to, during, or subsequent the deposition process. Therefore, the photoexcitation process may be used to pre-treat or post-treat the substrate or material, to deposit the silicon-containing material, and to enhance chamber cleaning processes. Attributes of the method that are enhanced by the UV photoexcitation process include removing native oxides prior to deposition, removing volatiles from deposited films, increasing surface energy of the deposited films, increasing the excitation energy of precursors, reducing deposition time, and reducing deposition temperature.
(FR)L'invention concerne, généralement, un procédé de dépôt de films à l'aide d'une source d'ultraviolets au cours d'un processus de photoexcitation. Les films sont déposés sur un substrat et contiennent un matériau tel que le silicium (par exemple, par croissance épitaxique, cristalline, microcristalline, polysilicium ou amorphe), silice, nitrure de silicium, oxynitrure de silicium ou autres matériaux contenant du silicium. Le processus de photoexcitation permet d'exposer le substrat et/ou des gaz à un faisceau ou flux énergétique avant, pendant ou après le processus de dépôt. En conséquence, le processus de photoexcitation peut être utilisé pour effectuer le prétraitement ou le post-traitement du substrat ou du matériau, déposer le matériau contenant le silicium et améliorer les processus de nettoyage de la chambre. Les améliorations apportées par ce processus de photoexcitation aux ultraviolets sont l'élimination des oxydes natifs avant le dépôt, l'élimination des volatiles des films déposés, l'augmentation de l'énergie superficielle des films déposés, l'augmentation de l'énergie d'excitation des précurseurs, la réduction du temps de dépôt et la baisse de la température de dépôt.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)