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1. (WO2007001856) CONTACT DE SUBSTRAT POUR DISPOSITIF MEMS COIFFE ET PROCEDE DE FABRICATION DU CONTACT DE SUBSTRAT AU NIVEAU TRANCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/001856    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/023122
Date de publication : 04.01.2007 Date de dépôt international : 13.06.2006
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Law Department, Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
HOOPER, Stephen R. [US/US]; (US) (US Seulement).
DESAI, Hemant D. [US/US]; (US) (US Seulement).
MCDONALD, William G. [US/US]; (US) (US Seulement).
SALIAN, Arvind S. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HOOPER, Stephen R.; (US).
DESAI, Hemant D.; (US).
MCDONALD, William G.; (US).
SALIAN, Arvind S.; (US)
Mandataire : KING, Robert L.; 7700 West Parmer Lane, Md: Tx32/pl02, Austin, Texas 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
11/158,793 21.06.2005 US
Titre (EN) SUBSTRATE CONTACT FOR A CAPPED MEMS AND METHOD OF MAKING THE SUBSTRATE CONTACT AT THE WAFER LEVEL
(FR) CONTACT DE SUBSTRAT POUR DISPOSITIF MEMS COIFFE ET PROCEDE DE FABRICATION DU CONTACT DE SUBSTRAT AU NIVEAU TRANCHE
Abrégé : front page image
(EN)A MEMS device (100) is provided that includes a handle layer (108) having a sidewall (138), a cap (132) overlying said handle layer (108), said cap (132) having a sidewall (138), and a conductive material (136) disposed on at least a portion of said sidewall of said cap (138) and said sidewall of said handle layer (138) to thereby electrically couple said handle layer (108) to said cap (132). A wafer-level method for manufacturing the MEMS device from a substrate (300) comprising a handle layer (108) and a cap (132) overlying the handle layer (108) is also provided. The method includes making a first cut through the cap (132) and at least a portion of the substrate (300) to form a first sidewall (138), and depositing a conductive material (136) onto the first sidewall (138) to electrically couple the cap (132) to the substrate (300).
(FR)L'invention concerne un dispositif MEMS (100) qui comprend une couche (108) de manipulation comportant une paroi latérale (138); une coiffe (132) recouvrant la couche (108) de manipulation, ladite coiffe (132) comportant une paroi latérale (138); et une matière conductrice (136), placée sur au moins une partie de la paroi latérale de la coiffe (138) et de la paroi latérale de la couche (138) de manipulation pour coupler électriquement la couche (108) de manipulation et la coiffe (132). L'invention concerne aussi un procédé de fabrication au niveau tranche du dispositif MEMS à partir d'un substrat (300), qui comprend une couche (108) de manipulation et une coiffe (132) recouvrant la couche (108) manipulation. Le procédé comporte les étapes consistant à: faire une première entaille à travers la coiffe (132) et au moins une partie du substrat (300) pour former une première paroi latérale (138), et déposer une matière conductrice (136) sur la première paroi latérale (138) afin de coupler électriquement la coiffe (132) et le substrat (300).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)