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1. (WO2007001712) PROCÉDÉS D'IMPLANTATION D'IONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/001712    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/020600
Date de publication : 04.01.2007 Date de dépôt international : 25.05.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.01.2007    
CIB :
H01L 21/266 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way, Boise, ID 83716 (US)
Inventeurs : CULVER, Randall; (US).
MCDANIEL, Terrence, B.; (US).
WANG, Hongmei; (US).
DALE, James, L.; (US).
LANE, Richard, H.; (US).
FISHBURN, Fred, D.; (US)
Mandataire : MATKIN, Mark, S.; WELLS ST. JOHN P.S., 601 West First Avenue, Suite 1300, Spokane, WA 99201-3828 (US)
Données relatives à la priorité :
11/168,893 28.06.2005 US
Titre (EN) ION IMPLANTING METHODS
(FR) PROCÉDÉS D'IMPLANTATION D'IONS
Abrégé : front page image
(EN)An ion implanting method includes forming a pair of spaced and adjacent features projecting outwardly from a substrate. At least outermost portions of the pair of spaced features are laterally pulled away from one another with a patterned photoresist layer received over the features and which has an opening therein received intermediate the pair of spaced features. While such spaced features are laterally pulled, a species is ion implanted into substrate material which is received lower than the pair of spaced features. After the ion implanting, the patterned photoresist layer is removed from the substrate. Other aspects and implementations are contemplated.
(FR)La présente invention concerne un procédé d'implantation d'ions comprenant la formation d'une paire de dispositifs espacés et adjacents se projetant vers l'extérieur à partir d'un substrat. Au moins les portions les plus extérieures de la paire de dispositifs espacés sont latéralement écartées l'une de l'autre avec une couche photorésistante à motif placée au-dessus des dispositifs et qui comporte une ouverture permettant de placer la paire de dispositifs espacés. Tandis que de tels dispositifs sont latéralement écartés, une espèce est implantée d'ions dans le matériau du substrat qui est situé plus bas que la paire de dispositifs espacés. Après l'implantation d'ions, la couche photorésistante à motif est retirée du substrat. La présente invention concerne également d'autres aspects et implémentations.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)