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1. (WO2007001672) PROCEDES DE TIRAGE ET D'OPTIMISATION D'EMPILEMENTS DE FILMS TRANSISTORISES BIPOLAIRES A HETEROJONCTION PAR INJECTION A DISTANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/001672    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/019234
Date de publication : 04.01.2007 Date de dépôt international : 17.05.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.03.2007    
CIB :
H01L 29/73 (2006.01), H01L 29/732 (2006.01), H01L 31/072 (2006.01)
Déposants : ATMEL CORPORATION [US/US]; 2325 Orchard Parkway, San Jose, CA 95131 (US) (Tous Sauf US).
ENICKS, Darwin, G. [US/US]; (US) (US Seulement).
CARVER, Damian, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ENICKS, Darwin, G.; (US).
CARVER, Damian, A.; (US)
Mandataire : SCHNECK, Thomas; Schneck & Schneck, P.O. Box 2-E, San Jose, CA 95109-0005 (US)
Données relatives à la priorité :
11/166,287 23.06.2005 US
Titre (EN) GROWTH OF HETEROJUNCTION BIPOLAR TRASISTOR STACKS BY REMOTE INJECTION
(FR) PROCEDES DE TIRAGE ET D'OPTIMISATION D'EMPILEMENTS DE FILMS TRANSISTORISES BIPOLAIRES A HETEROJONCTION PAR INJECTION A DISTANCE
Abrégé : front page image
(EN)A method, and a resulting device, for fabricating a heterojunction bipolar transistor (HBT). HBT devices have a high transconductance typical of bipolar devices and are additionally capable of high- power operation. To achieve the aforementioned characteristics, HBT devices are generally of the npn type, preferably with a thin, heavily doped base (117). The thin, heavily doped base (117) maintains a low base- spreading resistance, leading to a high maximum oscillation frequency. In order to maintain a high doping concentration while minimizing outdiffusion of the dopant material, carbon is remotely doped into the base region (117). Details of the carbon dopant techniques and procedures are described with respect to fabrication of an exemplary HBT device.
(FR)Procédé et dispositif issu de ce procédé pour la fabrication de transistors bipolaires à hétérojonction (HBT). Les dispositifs HBT présentent une transconductance élevée caractéristique des dispositifs bipolaires et sont en outre capables de fonctionner à grande puissance. L'obtention des caractéristiques susmentionnées explique que les dispositifs HBT soient généralement du type npn, avec une base mince lourdement dopée (117). Cette base (117) permet de maintenir une résistance à faible diffusion dans la base, ce qui se traduit par une fréquence d'oscillation maximum élevée. Pour maintenir une forte concentration de dopage tout en réduisant la sortie par diffusion du matériau dopant, on dope du carbone à distance dans la région de base (117). Des techniques de dopage du carbone sont décrites en détail pour la fabrication d'un dispositif HBT donné à titre d'exemple.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)